[發(fā)明專(zhuān)利]鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410437370.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105448728B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 禹國(guó)賓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 應(yīng)戰(zhàn);駱蘇華

1.一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底，所述第一區(qū)域襯底表面形成有第一初始鰭部，所述第二區(qū)域襯底表面形成有第二初始鰭部，所述第一初始鰭部和第二初始鰭部具有第一高度，所述第一初始鰭部和第二初始鰭部頂部表面晶面為(100)，所述第一初始鰭部和第二初始鰭部側(cè)壁表面晶面為(110)；

形成覆蓋于第一初始鰭部頂部表面和側(cè)壁表面的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，刻蝕去除部分厚度的第二初始鰭部，形成具有第二高度的第二鰭部，且在刻蝕過(guò)程中，第二初始鰭部側(cè)壁表面被表面活性劑所覆蓋，在第二初始鰭部側(cè)壁表面形成表面活性劑膜，所述晶面(110)對(duì)表面活性劑的吸附能力大于晶面(100)對(duì)表面活性劑的吸附能力；采用濕法刻蝕工藝刻蝕去除部分厚度的第二初始鰭部，且濕法刻蝕的刻蝕液體中溶解有表面活性劑；所述濕法刻蝕工藝對(duì)晶面(100)的刻蝕速率大于對(duì)晶面(110)的刻蝕速率；

去除所述表面活性劑膜以及掩膜層，第一初始鰭部為具有第一高度的第一鰭部。

2.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述表面活性劑為聚乙二醇辛基苯基醚或聚乙二醇。

3.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述刻蝕液體為四甲基氫氧化銨溶液。

4.如權(quán)利要求3所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述四甲基氫氧化銨溶液中，四甲基氫氧化銨與去離子水的質(zhì)量百分比為0.5％至25％，溶液溫度為5度至90度。

5.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述表面活性劑與刻蝕液體的質(zhì)量百分比為0.1％至1％。

6.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述晶面(100)的刻蝕速率為0.1μm/min至0.5μm/min，所述濕法刻蝕工藝對(duì)所述晶面(110)的刻蝕速率為0至0.05μm/min。

7.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，將所述第二初始鰭部浸潤(rùn)在溶解有表面活性劑的刻蝕液體中，以刻蝕去除部分厚度的第二初始鰭部。

8.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，采用去離子水清洗去除所述表面活性劑膜。

9.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為光刻膠、氧化硅或氮化硅。

10.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，在形成掩膜層之前，還包括步驟：形成覆蓋所述第一初始鰭部和第二初始鰭部的表面、以及第一初始鰭部和第二初始鰭部之間的襯底表面的隔離膜，且所述隔離膜頂部高于第一初始鰭部頂部；平坦化所述隔離膜直至與第一初始鰭部和第二初始鰭部頂部齊平；回刻蝕去除部分厚度的隔離膜形成隔離層，且所述隔離層頂部低于第一初始鰭部和第二初始鰭部頂部。

11.如權(quán)利要求10所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述第一高度指第一初始鰭部頂部表面和第二初始鰭部頂部表面至隔離層頂部表面的垂直距離。

12.如權(quán)利要求10所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述第二高度指第二鰭部頂部表面至隔離層頂部表面的垂直距離。

13.如權(quán)利要求1所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝刻蝕初始襯底形成表面具有第一初始鰭部和第二初始鰭部的襯底。

14.如權(quán)利要求13所述鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括CF₄、Si₂F₆、HCl、HBr或Cl₂中的一種或幾種。