[發明專利]具有側面凹槽的電路板的壓合結構及電路板的制作方法有效
| 申請號: | 201410437206.0 | 申請日: | 2014-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN104202904B | 公開(公告)日: | 2017-07-11 |
| 發明(設計)人: | 吳少暉;唐立輝 | 申請(專利權)人: | 廣州美維電子有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K3/46 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙)44288 | 代理人: | 湯喜友 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 側面 凹槽 電路板 結構 制作方法 | ||
1.具有側面凹槽的電路板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、通過沖切開窗方式或鑼板開窗方式將第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片分別進行開窗;
步驟2、將開窗后的第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片由上至下依次疊合形成空腔板,其中,第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片的開窗位置均導通以形成一貫穿第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片的空腔;
步驟3、將第一銅箔層、第一離型膜層、第一鋁片層、第一芯板、空腔板、第三芯板、第二鋁片、第二離型膜和第二銅箔層由上至下依次疊合并進行層壓處理;
步驟4、將所述第一銅箔層、第一離型膜層、第一鋁片層、第二鋁片、第二離型膜和第二銅箔層取掉,以得到過渡板;
步驟5、將所述過渡板的空腔的一側壁鑼掉,以使所述空腔的一側與外界連通從而形成凹槽。
2.如權利要求1所述的制作方法,其特征在于,步驟5之后還有以下步驟:對所述第一芯板和/或第二芯板進行鉆孔處理,以形成導通孔,所述導通孔與所述凹槽導通。
3.如權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一芯板包括第一一絕緣層和位于所述第一一絕緣層上表面及下表面的第一一銅箔層;所述第三芯板包括第三一絕緣層和位于所述第三一絕緣層上表面及下表面的第三一銅箔層。
4.具有側面凹槽的電路板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、通過沖切開窗方式或鑼板開窗方式將第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片分別進行開窗;
步驟2、將開窗后的第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片由上至下依次疊合形成空腔板,其中,第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片的開窗位置均導通以形成一貫穿第一非流動性半固化片、第二芯板和第二非流動性半固化片的空腔;
步驟3、將第一銅箔層、第一離型膜層、第一鋁片層、第一芯板、空腔板、第三芯板、第二鋁片、第二離型膜和第二銅箔層由上至下依次疊合并進行層壓處理;所述第一芯板包括第一一絕緣層和位于所述第一一絕緣層上表面及下表面的第一一銅箔層;所述第三芯板包括第三一絕緣層和位于所述第三一絕緣層上表面及下表面的第三一銅箔層;
步驟4、將所述第一銅箔層、第一離型膜層、第一鋁片層、第二鋁片、第二離型膜和第二銅箔層取掉,以得到過渡板;
步驟5、對所述第一芯板和/或第二芯板進行鉆孔處理,以形成導通孔,所述導通孔與所述空腔導通,以及在過渡板的廢料區制作貫穿所述過渡板的導流孔,所述導流孔與所述空腔導通;
步驟6、電鍍時,將鍍銅藥水注入所述導通孔,以使位于第一一絕緣層下表面的第一一銅箔層以及位于第三一絕緣層上表面的第三一銅箔層均形成鍍銅區,以形成電鍍板;
步驟7、將所述電鍍板的位于廢料區的空腔的一側壁鑼掉,以使所述空腔的一側與外界連通從而形成凹槽。
5.如權利要求1或4所述的制作方法,其特征在于,所述第二芯板包括第二一絕緣層和位于所述第二一絕緣層上表面及下表面的第二一銅箔層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州美維電子有限公司,未經廣州美維電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410437206.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種貼片方法及貼片機
- 下一篇:平面金屬薄膜負載裝置





