[發(fā)明專利]用于跡線上接合工藝的凸塊焊盤

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410437081.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN104766850B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁裕民;吳俊毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

襯底；

多個(gè)導(dǎo)電跡線，設(shè)置在所述襯底的側(cè)上；

多個(gè)導(dǎo)電元件，所述導(dǎo)電元件的每個(gè)都從所述導(dǎo)電跡線的相應(yīng)的一個(gè)跡線延伸到所述襯底中；以及

多個(gè)凸塊焊盤，所述凸塊焊盤的每個(gè)突出于所述導(dǎo)電跡線的第一子集的一個(gè)，其中，將所述導(dǎo)電跡線的第二子集在所述襯底的所述側(cè)內(nèi)開槽，其中，所述導(dǎo)電跡線的第二子集位于兩個(gè)鄰近的所述導(dǎo)電跡線的第一子集之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述側(cè)是第一側(cè)，且所述多個(gè)導(dǎo)電元件是導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱延伸到設(shè)置在所述襯底的第二側(cè)上的相應(yīng)導(dǎo)電部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電跡線彼此橫向偏移最小的跡線間距，所述多個(gè)凸塊焊盤彼此橫向偏移最小的凸塊焊盤間距，所述最小的凸塊焊盤間距大于所述最小的跡線間距。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電跡線彼此橫向偏移最小的跡線間距，所述多個(gè)凸塊焊盤彼此橫向偏移最小的凸塊焊盤間距，所述最小的凸塊焊盤間距是所述最小的跡線間距的至少兩倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電跡線彼此橫向偏移最小的跡線間距，所述最小的跡線間距小于50微米，且所述多個(gè)凸塊焊盤彼此橫向偏移最小的凸塊焊盤間距，所述最小的凸塊焊盤間距是所述最小的跡線間距的兩倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括：

集成電路芯片；以及

多個(gè)導(dǎo)電凸塊，連接在所述集成電路芯片和所述凸塊焊盤的相應(yīng)焊盤之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊彼此橫向偏移最小的凸塊間距，所述最小的凸塊間距小于110微米。

8.一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，包括：

從載體分離襯底，所述載體上形成有額外的襯底，其中，分離的所述襯底包括位于所述襯底的頂面上的導(dǎo)電層和多個(gè)導(dǎo)電柱，所述多個(gè)導(dǎo)電柱的每個(gè)都從所述襯底的底面延伸穿過所述襯底到達(dá)所述導(dǎo)電層；以及

通過選擇性去除所述導(dǎo)電層，除了從所述導(dǎo)電柱的第一子集的每個(gè)上方去除所述導(dǎo)電層，在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方形成凸塊焊盤，并且從不是所述第一子集的部分的所述導(dǎo)電柱的每個(gè)上方去除所述導(dǎo)電層的足夠的部分，從而暴露凹進(jìn)到所述襯底的所述頂面中的導(dǎo)電面；

其中，所述導(dǎo)電柱的不是所述第一子集的部分位于兩個(gè)鄰近的所述導(dǎo)電柱的所述第一子集之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方形成所述凸塊焊盤包括：

在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方而不是剩余的所述導(dǎo)電柱上方的所述導(dǎo)電層上形成光刻膠掩模；以及

蝕刻以去除所述導(dǎo)電層，除了所述光刻膠掩模下方的所述導(dǎo)電層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方而不是剩余的所述導(dǎo)電柱上方的所述導(dǎo)電層上形成所述光刻膠掩模包括在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方而不是所述導(dǎo)電層的剩余部分上方的所述導(dǎo)電層上形成所述光刻膠掩模。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方而不是剩余的所述導(dǎo)電柱上方的所述導(dǎo)電層上形成所述光刻膠掩模包括僅在所述導(dǎo)電柱的所述第一子集的每個(gè)上方的所述導(dǎo)電層上形成所述光刻膠掩模。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，以去除所述導(dǎo)電層的蝕刻從不是所述第一子集的部分的所述導(dǎo)電柱的每個(gè)上方去除所述導(dǎo)電層的足夠的部分，從而暴露凹進(jìn)到所述襯底的所述頂面中的導(dǎo)電面。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，通過所述蝕刻減薄的所述導(dǎo)電層的部分包括所述導(dǎo)電面。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述導(dǎo)電面是不屬于所述第一子集的部分的所述導(dǎo)電柱的相應(yīng)導(dǎo)電柱的導(dǎo)電面。