[發(fā)明專利]開關電源的OCP補償電路及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410436694.3 | 申請日: | 2014-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN104184306B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周偉江;吳建興 | 申請(專利權)人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/00 | 分類號: | H02M1/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 張振軍 |
| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關電源 ocp 補償 電路 方法 | ||
1.一種開關電源的OCP補償電路,該開關電源的占空比D的范圍為0~DMAX,DMAX為最大占空比,其特征在于,該開關電源的開關周期包括順次相接的充電階段、采樣階段和泄放階段,該OCP補償電路包括:
電流源,其輸出端產(chǎn)生第一電流;
第一開關管,其第一端連接所述電流源的輸出端,其控制端接收第一輸入信號;
電容,其第一端連接所述第一開關管的第二端,其第二端接地,所述電容兩端的電壓記為分段線性電壓;
采樣保持電路,其輸入端連接所述電容的第一端,在采樣階段對所述分段線性電壓進行采樣保持以得到采樣保持電壓;
電壓轉電流電路,與所述采樣保持電路的輸出端相連,跟隨所述采樣保持電壓并將跟隨的采樣保持電壓轉換為第二電流;
第一鏡像電路,對所述第二電流進行鏡像以產(chǎn)生第三電流;
第二開關管,其第一端連接所述第一鏡像電路的輸出端,其第二端連接所述電容的第一端,其控制端接收第二輸入信號;
第二鏡像電路,對所述第二電流進行鏡像以產(chǎn)生補償電流;
第三開關管,其第一端連接所述電容的第一端,其第二端接地,其控制端接收第三輸入信號,所述第三開關管在所述泄放階段導通以將所述分段線性電壓置零;
其中,所述占空比D在DS以下時,所述補償電流的斜率為大于等于零的預設常數(shù);所述占空比D在DS以上時,所述補償電流隨占空比增大而增大,而且所述補償電流的斜率也隨占空比增大而增大,DS為0至DMAX之間的預設值。
2.根據(jù)權利要求1所述的OCP補償電路,其特征在于,所述第一開關管僅在所述充電階段且占空比D∈[0,DMAX]時導通以使所述第一電流對所述電容充電,所述第二開關管僅在所述充電階段且占空比D∈[DS,DMAX]時導通以使所述第三電流對所述電容充電。
3.根據(jù)權利要求1所述的OCP補償電路,其特征在于,所述采樣保持電路包括:
第四開關管,其第一端作為所述采樣保持電路的輸入端,其第二端作為所述采樣保持電路的輸出端,其控制端接收第四輸入信號,所述第四輸入信號在所述采樣階段控制所述第四開關管導通;
采樣電容,其第一端連接所述第四開關管的第二端,其第二端接地。
4.根據(jù)權利要求1所述的OCP補償電路,其特征在于,所述電壓轉電流電路包括:
運算放大器,其正輸入端連接所述采樣保持電路的輸出端;
第一PMOS晶體管,其源端連接電源,其漏端連接該第一PMOS晶體管的柵端,流經(jīng)所述第一PMOS晶體管的電流為所述第二電流;
第五開關管,其控制端連接所述運算放大器的輸出端,其第一端連接所述第一PMOS晶體管的漏端,其第二端連接所述運算放大器的負輸入端并且經(jīng)由轉換電阻接地。
5.根據(jù)權利要求4所述的OCP補償電路,其特征在于,所述第一鏡像電路包括:第二PMOS晶體管,其源端連接電源,其漏端連接所述第二開關管的第一端,其柵端連接該第一PMOS晶體管的柵端。
6.根據(jù)權利要求4所述的OCP補償電路,其特征在于,所述第二鏡像電路包括:第三PMOS晶體管,其源端連接電源,其漏端輸出所述補償電流,其柵端連接該第一PMOS晶體管的柵端。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





