[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410436244.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104517991B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐藤敏浩;伊藤良一 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社日本顯示器 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 第二基板 密封膜 有機(jī)EL元件 第一基板 觸摸傳感器 方向延伸 檢測(cè)電極 無(wú)機(jī)材料 顯示裝置 無(wú)機(jī)層 有機(jī)電致發(fā)光裝置 電位 并列配置 并列設(shè)置 第二電極 第二檢測(cè) 第一電極 相對(duì)配置 電極 側(cè)沿 內(nèi)置 配置 檢測(cè) 覆蓋 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,具有:
第一基板,在絕緣基板上以陣列狀配置有具有薄膜晶體管的像素;
第二基板,與所述第一基板相對(duì)配置;
有機(jī)EL元件層,位于所述第一基板上,且配置在所述第一基板與所述第二基板之間,并通過(guò)包含所述薄膜晶體管的電路而被控制發(fā)光;
第一密封膜,直接形成在所述有機(jī)EL元件層的面向所述第二基板的一側(cè),覆蓋所述有機(jī)EL元件層,并至少具有由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第一無(wú)機(jī)層;
第一檢測(cè)電極,在所述第一密封膜的所述第二基板側(cè)沿一方向延伸且并列設(shè)置有多個(gè);
第二密封膜,配置在所述第一檢測(cè)電極的所述第二基板側(cè),并至少具有由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第二無(wú)機(jī)層;
第二檢測(cè)電極,在所述第二密封膜的所述第二基板側(cè),沿與所述一方向不同的方向延伸且并列配置有多個(gè);和
觸摸傳感器控制部,控制所述第一檢測(cè)電極以及所述第二檢測(cè)電極中的任意一方的電位,并檢測(cè)在任意另一方中產(chǎn)生的電氣變化,由此檢測(cè)對(duì)顯示面的接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一檢測(cè)電極和所述第二檢測(cè)電極分別具有使長(zhǎng)方形即條帶形、或者菱形即方塊形連續(xù)而成的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一檢測(cè)電極和所述第二檢測(cè)電極分別通過(guò)掩膜濺射法、印刷法中的任意一種方法形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一密封膜在所述第一無(wú)機(jī)層的第二基板側(cè)具有由有機(jī)材料形成的平坦化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其特征在于,
所述平坦化層具有1~100μm的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
用于與所述觸摸傳感器控制部連接的連接端子、和用于與控制有機(jī)EL元件層的發(fā)光的有機(jī)EL元件控制部連接的連接端子,形成在所述第一基板的同一平面上。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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