[發明專利]一種新型低功耗比較器有效
| 申請號: | 201410435979.5 | 申請日: | 2014-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN104202022B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發明(設計)人: | 沈磊 | 申請(專利權)人: | 長沙景嘉微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K5/22 | 分類號: | H03K5/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 410205 湖南省長沙*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 功耗 比較 | ||
1.一種新型低功耗比較器電路及其實現方法,實現電路有兩種,其中一種實現電路的特征在于:它包括PMOS管M1、M2、M3,NMOS管M4、M5、M6、M7,其中PMOS管M1的柵極接PMOS管M2的柵極,源極接電源(VDD),漏極接輸出端VO2;PMOS管M2的柵漏短接并接PMOS管M1的柵極,同時接到NMOS管M5的漏極,源極接電源(VDD);PMOS管M3的柵極接PMOS管M2的柵極,源極接電源(VDD),漏極接輸出端(VO1);NMOS管M4柵極接輸入端(Vi2),源極接NMOS管M7的漏極,漏極接輸出端(VO2);NMOS管M5的柵極接參考電壓(VREF),源極接NMOS管M7的漏極,漏極接PMOS管M2的漏極;NMOS管M6的柵極接輸入端(Vi1),源極接NMOS管M7的漏極,漏極接輸出端(VO1);NMOS管M7的柵極接外部偏置電壓(Vbias),源極接電源地(GND),漏極接NMOS管M4的源極。
2.根據權利要求1所述的新型低功耗比較器電路,其特征在于采用兩組差分輸入對管,電流鏡有源負載和一路尾電流源的電路實現。
3.根據權利要求1和2所述的新型低功耗比較器電路,其特征在于所述的兩組輸入差分對管共用一個輸入端,公共端接參考電壓,每一個待比較的電壓輸入端對應一個輸出端,
尾電流源的柵極電壓來自外部電路提供的電壓偏置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長沙景嘉微電子股份有限公司,未經長沙景嘉微電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410435979.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





