[發明專利]LED芯片及其制作方法在審
| 申請號： | 201410434143.3 | 申請日： | 2014-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN105374910A | 公開（公告）日： | 2016-03-02 |
| 發明（設計）人： | 謝春林 | 申請（專利權）人： | 惠州比亞迪實業有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 516083*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種LED芯片，其特征在于，包括：
襯底；
在襯底上依次形成的緩沖層、N型半導體層、部分覆蓋N型半導體層的發光層、形成在發光層上的P型半導體層和形成在P型半導體層上的導電層，所述N型半導體層未被發光層覆蓋的區域為N電極安裝區；所述N電極安裝區設有臺階，所述臺階包括第一臺面、高度低于第一臺面的第二臺面及第一臺面和第二臺面之間的臺階側面；
P電極和N電極，所述P電極形成在導電層之上，所述N電極形成在第二臺面上，并且與臺階側面相接觸。
2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極完全遮蓋臺階側面。
3.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極安裝區至少設有二個臺階，N電極與每個臺階的臺階側面相接觸。
4.如權利要求1-3任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述臺階的高度為500-2000nm。
5.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述發光層和P型半導體層之間設有電子阻擋層。
6.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、提供襯底，在襯底上依次形成緩沖層、N型半導體層、發光層、P型半導體層和導電層；
S2、在導電層的部分區域進行刻蝕形成裸露出N型半導體層的N電極安裝區；
S3、在N型半導體層上的N電極安裝區刻蝕形成臺階，所述臺階包括第一臺面、高度低于第一臺面的第二臺面及第一臺面和第二臺面之間的臺階側面；
S4、在P型半導體層上形成P電極；
S5、在所述第二臺面上形成N電極，所述N電極與臺階側面相接觸。
7.如權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極完全遮蓋臺階側面。
8.如權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極安裝區形成至少二個臺階，N電極與每個臺階的臺階側面相接觸。
9.如權利要求6-8任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述臺階的高度為500-2000nm。
10.如權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，在所述發光層和P型半導體層之間形成電子阻擋層。
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