[發明專利]發光二極管芯片的襯底及其制造方法

有效

• 申請號: 201410433943.3
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN105374907B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 彭建忠;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 謝志為

1.一種發光二極管芯片的襯底的制備方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上覆蓋一緩沖層，并在緩沖層上覆蓋一金屬薄膜；

將承載緩沖層和金屬薄膜的襯底高溫回火使得金屬薄膜形成相互間隔納米級金屬顆粒；

以金屬顆粒為掩膜向下蝕刻緩沖層形成納米柱；

去除納米柱頂端的金屬顆粒；

在襯底上設置圖案化的光阻層，所述光阻層覆蓋所述納米柱且顯露部分所述襯底表面，并對所述光阻層進行曝光顯影在襯底表面形成若干相互間隔的離散光阻柱；以及

采用干式蝕刻法對襯底及光阻柱進行蝕刻，所述襯底與所述光阻柱均能夠與蝕刻氣體發生反應，以在襯底表面形成微米微結構并于所述微米微結構和襯底的表面進一步形成納米微結構，所述微米微結構相互間隔并呈圓錐形，所述納米微結構形成于所述微米微結構的錐形表面和各微米微結構之間的襯底表面上。

2.如權利要求1所述的發光二極管芯片的襯底的制備方法，其特征在于：所述襯底采用藍寶石材料制成，所述緩沖層采用二氧化硅、二氧化鈦、銦錫氧化物、氮化硅中的一種。

3.如權利要求1所述的發光二極管芯片的襯底的制備方法，其特征在于：所述在所述襯底上覆蓋一緩沖層，并在緩沖層上覆蓋一金屬薄膜的步驟中所述緩沖層的厚度為100納米至550納米。

4.如權利要求1所述的發光二極管芯片的襯底的制備方法，其特征在于：所述在所述襯底上覆蓋一緩沖層，并在緩沖層上覆蓋一金屬薄膜的步驟中所述金屬薄膜的厚度為5納米至100納米。

5.如權利要求1所述的發光二極管芯片的襯底的制備方法，其特征在于：所述將承載緩沖層和金屬薄膜的襯底高溫回火使得金屬薄膜形成相互間隔納米級金屬顆粒的步驟中所述金屬顆粒的尺寸為1納米至50納米尺寸，所述金屬顆粒的形狀為球狀或島狀金屬顆粒。

6.如權利要求1所述的發光二極管芯片的襯底的制備方法，其特征在于：所述將承載緩沖層和金屬薄膜的襯底高溫回火使得金屬薄膜形成相互間隔納米級金屬顆粒的步驟中所述高溫回火的溫度為650攝氏度至800攝氏度。

7.如權利要求1所述的發光二極管芯片的襯底的制備方法，其特征在于：所述在襯底上設置圖案化的光阻層并進行曝光顯影在襯底表面形成若干相互間隔的離散光阻柱的步驟中，每一光阻柱的直徑為2微米，相鄰兩光阻柱之間的間距為1微米。

8.一種發光二極管芯片的襯底，其包括第一表面和相對的第二表面，該第一表面上形成有微米微結構，其特征在于：每一微米微結構呈圓錐形，所述微米微結構表面形成有納米微結構，所述納米微結構形成于所述微米微結構的錐形表面和各所述微米微結構之間的襯底表面上。