[發明專利]控制鰭式場效應晶體管器件鰭片尺寸的方法

有效

• 申請號: 201410433485.3
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105374682B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 徐強;熊文娟;張永奎;殷華湘
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司11252
• 代理人: 王立民,胡湘根

1.一種控制鰭式場效應晶體管器件鰭片尺寸的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成鰭片Fin；

對所述Fin的關鍵尺寸進行測量；

根據所述Fin的關鍵尺寸與Fin的規格要求的差異，查找預先獲得的不同退火工藝對硅的消耗量，確定對所述襯底上的Fin的退火工藝；

按照確定的退火工藝對所述襯底上的Fin進行退火。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根據所述Fin的關鍵尺寸與Fin的規格要求的差異，查找預先獲得的不同退火工藝對硅的消耗量，確定對所述Fin的退火工藝之前，包括：

獲得不同退火工藝對硅的消耗量；

所述獲得不同退火工藝對硅的消耗量，包括：

在實驗襯底上形成Fin；

將所述實驗襯底上形成的Fin放置在預設溫度環境下，通入氫氣和氧氣，分別進行不同時長的退火，獲得預設溫度下不同時長的退火對硅的消耗量。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預設溫度為700攝氏度和750攝氏度。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成Fin，包括：

對所述襯底執行自對準二次圖形曝光SADP工藝形成Fin。

5.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

將所述襯底上的Fin放置在1000攝氏度以上的氮氣氣氛下進行二次退火。