[發(fā)明專利]包括分離的結(jié)接觸的石墨烯器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410433124.9
• 申請(qǐng)日: 2014-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN104659096B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李載昊;卞卿溵;宋俔在;申鉉振;李珉賢;柳寅敬;樸晟準(zhǔn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 翟然

1.一種石墨烯器件，包括：

基板；

石墨烯溝道層；

柵電極，配置為施加電場(chǎng)到所述石墨烯溝道層；和

第一結(jié)接觸層和第二結(jié)接觸層，接觸至少部分的所述石墨烯溝道層，

其中所述第一結(jié)接觸層和第二結(jié)接觸層被彼此電分離且彼此物理地分離，

其中所述石墨烯溝道層在所述第一結(jié)接觸層、分離膜和所述第二結(jié)接觸層的頂表面的至少一部分上，

其中所述分離膜包括：通過蝕刻所述基板的一部分而形成的溝槽，所述溝槽在所述第一結(jié)接觸層和所述第二結(jié)接觸層之間；和填充在所述溝槽中的絕緣材料。

2.如權(quán)利要求1所述的石墨烯器件，

其中所述第一結(jié)接觸層和所述第二結(jié)接觸層被相鄰地設(shè)置在所述基板的頂表面的至少一部分上。

3.如權(quán)利要求2所述的石墨烯器件，

其中所述第一和第二結(jié)接觸層被摻雜以具有相同的導(dǎo)電類型，

其中所述基板被摻雜以具有與所述第一和第二結(jié)接觸層的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型。

4.如權(quán)利要求2所述的石墨烯器件，其中所述基板包括絕緣材料。

5.如權(quán)利要求2所述的石墨烯器件，其中所述分離膜將所述第一結(jié)接觸層與所述第二結(jié)接觸層電分離。

6.如權(quán)利要求1所述的石墨烯器件，還包括在所述第一和第二結(jié)接觸層的頂表面的至少一部分上并覆蓋所述石墨烯溝道層的柵絕緣膜，

其中所述柵電極在所述柵絕緣膜上，與所述石墨烯溝道層相反。

7.如權(quán)利要求6所述的石墨烯器件，還包括：

源電極，接觸所述第一結(jié)接觸層的至少一部分；和

漏電極，接觸所述第二結(jié)接觸層的至少一部分。

8.如權(quán)利要求7所述的石墨烯器件，

其中所述源電極在所述第一結(jié)接觸層的頂表面的至少一部分上和所述柵絕緣膜的第一側(cè)的一部分上，

其中所述漏電極在所述第二結(jié)接觸層的頂表面的至少一部分上和所述柵絕緣膜的第二側(cè)的一部分上。

9.如權(quán)利要求1所述的石墨烯器件，其中所述基板包含絕緣材料，

其中所述柵電極在所述基板上。

10.如權(quán)利要求9所述的石墨烯器件，還包括在所述基板和所述柵電極的頂表面上并覆蓋所述柵電極的柵絕緣膜，

其中所述石墨烯溝道層在所述柵絕緣膜的頂表面的至少一部分上，與所述柵電極相反，

其中所述第一結(jié)接觸層和所述第二結(jié)接觸層在所述石墨烯溝道層的相反兩側(cè)上。

11.如權(quán)利要求10所述的石墨烯器件，還包括在所述第一結(jié)接觸層和第二結(jié)接觸層之間并將所述第一結(jié)接觸層與所述第二結(jié)接觸層電分離的分離膜，

其中所述第一和第二結(jié)接觸層被摻雜并具有相同的導(dǎo)電類型。

12.如權(quán)利要求10所述的石墨烯器件，

其中所述第一結(jié)接觸層在所述柵絕緣膜的頂表面的一部分和所述石墨烯溝道層的頂表面的一部分上，接觸所述石墨烯溝道層的所述一部分，

其中所述第二結(jié)接觸層在所述柵絕緣膜的頂表面的其他部分和所述石墨烯溝道層的頂表面的其他部分上，接觸所述石墨烯溝道層的所述其他部分。