[發明專利]具有多層裸片組塊的半導體封裝

有效

• 申請號: 201410432996.3
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN104425429B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 吳國財
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張寧

1.一種半導體封裝，包括：

組塊，具有第一側，與所述第一側相對的第二側，以及從所述第二側朝向所述第一側延伸的凹陷區域，使得所述組塊在所述凹陷區域中具有較薄的部分并且在所述凹陷區域之外具有較厚的部分；

第一半導體裸片，具有相對的第一側和第二側，所述第一半導體裸片布置在所述組塊的所述凹陷區域中并且在所述第一半導體裸片的所述第一側處附接至所述組塊的所述較薄部分；以及

第二半導體裸片，在所述第二半導體裸片的第一側處附接至所述第一半導體裸片的所述第二側，

其中，所述第二半導體裸片的一部分突出在所述組塊的所述較厚部分之上。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括，電絕緣的間隔件，布置在所述組塊的所述凹陷區域中并且插入在所述第一半導體裸片與所述組塊的所述較薄部分之間。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中，在所述第二半導體裸片的所述第一側處的端子導電地附接至在所述第一半導體裸片的所述第二側處的端子以及附接至所述組塊的所述較厚部分。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括，多個導電引線，其中所述第一半導體裸片具有在所述第一半導體裸片的所述第二側的端子，所述端子并未被所述第二半導體裸片覆蓋并且電連接至所述引線中的第一引線，以及其中所述第二半導體裸片具有在所述第二半導體裸片的第二側處的端子，所述端子電連接至所述引線中的第二引線。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中，所述引線中的第三引線具有凹陷區域，使得所述第三引線在所述第三引線的凹陷區域中具有較薄部分并且在所述第三引線的凹陷區域之外具有較厚部分，其中所述第一半導體裸片部分地布置在所述組塊的凹陷區域中并且部分地布置在所述第三引線的凹陷區域中，以及其中所述第一半導體裸片具有在所述第一半導體裸片的第一側處的端子，所述端子導電地附接至所述第三引線的所述較薄部分。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝，進一步包括，電絕緣的間隔件，布置在所述組塊的所述凹陷區域中并且插入在所述第一半導體裸片的所述第一側處的端子與所述組塊的所述較薄部分之間。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述組塊是引線框架的裸片焊墊。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括額外組塊，所述額外組塊與其他組塊間隔開并且具有凹陷的區域，使得所述額外組塊在所述額外組塊的凹陷區域中具有較薄部分并且在所述額外組塊的凹陷區域之外具有較厚部分，以及其中所述第一半導體裸片部分地布置在所述組塊的凹陷區域中并且部分地布置在所述額外組塊的凹陷區域中，使得所述第一半導體裸片跨越所述組塊之間的間隙。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括第三半導體裸片，所述第三半導體裸片附接至所述組塊的較厚部分并且與所述第一半導體裸片和所述第二半導體裸片間隔開。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括間隔件，所述間隔件布置在所述組塊的凹陷區域中并且插入在所述第一半導體裸片和所述組塊的較薄部分之間。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述組塊的所述凹陷區域從所述組塊的所述第二側延伸至50μm至120μm的深度。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述第一半導體裸片是半橋電路的高側晶體管裸片，并且所述第二半導體裸片是所述半橋電路的低側晶體管裸片，其中所述高側晶體管裸片具有附接至所述組塊的所述較薄部分的漏極端子以及在所述高側晶體管裸片的相對側處的源極端子和柵極，其中所述低側晶體管裸片具有導電地附接至所述高側晶體管裸片的所述源極端子的漏極端子以及在所述低側晶體管裸片的相對側處的源極端子和柵極端子，以及其中所述低側晶體管裸片布置在所述高側晶體管裸片上，使得所述高側晶體管裸片的所述柵極端子保持并未被所述低側晶體管裸片覆蓋。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述低側晶體管裸片的一部分突出在所述組塊的所述較厚部分之上。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝，進一步包括電絕緣的間隔件，所述電絕緣的間隔件布置在所述組塊的所述凹陷區域中并且插入在所述高側晶體管裸片與所述組塊的所述較薄部分之間。