[發明專利]碳化硅半導體裝置有效
| 申請號： | 201410432842.4 | 申請日： | 2014-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN104425574B | 公開（公告）日： | 2018-09-11 |
| 發明（設計）人： | 樽井陽一郎;今泉昌之;油谷直毅 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/47 | 分類號： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅半導體裝置，其特征在于，具有：
第1導電型的漂移層；
保護環區域，其在所述漂移層中從所述漂移層的一側的表面形成，呈環狀，并包含有第2導電型的雜質；
場絕緣膜，其在所述一側的表面上，以將所述保護環區域包圍的方式形成；
肖特基電極，其以在所述保護環區域的內側將在所述一側的表面露出的所述漂移層和所述保護環區域覆蓋的方式形成，該肖特基電極的外周端存在于所述場絕緣膜上；以及
表面電極焊盤，其形成在所述肖特基電極上，
所述表面電極焊盤的外周端越過所述肖特基電極的外周端而與所述場絕緣膜接觸，所述表面電極焊盤將所述肖特基電極的外周端處的前端尖銳的蝕刻殘渣覆蓋，
在所述保護環區域之中形成有第2導電型的高濃度區域，該第2導電型的高濃度區域從所述保護環區域的一側的表面形成，且具有比所述保護環區域更高的雜質濃度。
2.根據權利要求1所述的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述表面電極焊盤的外周端存在于所述保護環區域的上方。
3.根據權利要求1或2所述的碳化硅半導體裝置，其特征在于，所述場絕緣膜的開口部形成為錐形狀。
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