[發明專利]接合銀漿的方法在審
| 申請號: | 201410432816.1 | 申請日: | 2014-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN104752240A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 洪坰國;姜修檳 | 申請(專利權)人: | 現代自動車株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 方法 | ||
1.一種接合銀漿的方法,其包括:
制備包括多個銀粉末和能夠環繞各個銀粉末的固相燒結介質材料的銀漿;
在大于大氣氧分壓的氧分壓下加熱所述銀漿;以及
接合所述銀粉末。
2.根據權利要求1所述的方法,其中加熱所述銀漿的步驟在約250℃至約900℃的溫度范圍內執行。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述氧分壓大于約0.21,且等于或小于約1。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述燒結介質材料是玻璃粉。
5.根據權利要求1所述的方法,其中加熱所述銀漿的步驟包括:
將所述固相燒結介質材料轉化為液相燒結介質材料。
6.根據權利要求5所述的方法,其中接合所述銀粉末的步驟包括:
使環繞各個銀粉末表面的所述液相燒結介質材料與鄰近的液相燒結介質材料接觸;以及
通過所述液相燒結介質材料擴散所述銀粉末的銀原子和銀離子,以形成接合所述銀粉末的接合部。
7.根據權利要求6所述的方法,其中在接合所述銀粉末的步驟中,去除所述液相燒結介質材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





