[發明專利]拋光漿料以及使用所述拋光漿料的襯底拋光方法有效
| 申請號: | 201410432719.2 | 申請日: | 2014-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN104746080B | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發明(設計)人: | 鄭勝元 | 申請(專利權)人: | 優備材料有限公司 |
| 主分類號: | C23F3/06 | 分類號: | C23F3/06 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韓國京畿道龍*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拋光 漿料 以及 使用 襯底 方法 | ||
1.一種用于鎢的拋光漿料,包括:
磨料,用于進行拋光且具有正的動電位;以及
電位調節劑,用于控制所述磨料的所述動電位,
所述電位調節劑包括選自由以下各者組成的群組中的至少一者:草酸鐵鉀、乙二胺四乙酸鐵鈉、鐵氰化鉀以及乙酰丙酮鐵(III),
其中以所述拋光漿料的總量計,所述電位調節劑所占的量是0.001重量%到1重量%,且所述磨料的所述動電位通過所述電位調節劑控制在+5毫伏到-5毫伏之內。
2.根據權利要求1所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述磨料包括二氧化鋯顆粒。
3.根據權利要求2所述的用于鎢的拋光漿料,其中以所述拋光漿料的總量計,所述磨料所占的量是大于0.2重量%到小于或等于10重量%。
4.根據權利要求2所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述電位調節劑通過產生陰離子來控制所述磨料的所述動電位。
5.根據權利要求4所述的用于鎢的拋光漿料,其中根據所述電位調節劑的濃度來控制所述鎢對絕緣層的拋光選擇性。
6.根據權利要求5所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述磨料的所述動電位是5毫伏到3.5毫伏,且所述鎢對所述絕緣層的所述拋光選擇性是1:1到1:8。
7.根據權利要求5所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述磨料的所述動電位是通過所述電位調節劑控制在-2毫伏到2毫伏,且所述鎢對所述絕緣層的所述拋光選擇性大于或等于6:1。
8.根據權利要求5所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述磨料的所述動電位是通過所述電位調節劑控制在2毫伏到3.5毫伏或小于或等于-2毫伏,且所述鎢對所述絕緣層的所述拋光選擇性是1:1到2:1。
9.根據權利要求1所述的用于鎢的拋光漿料,還包括分散劑,用于使所述磨料分散且用于將所述磨料的所述動電位控制到比所述電位調節劑控制的所述動電位小的量。
10.根據權利要求9所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述分散劑包括陰離子聚合材料、陽離子聚合材料或非離子聚合材料。
11.根據權利要求10所述的用于鎢的拋光漿料,其中
所述陰離子聚合材料包括選自由以下各者組成的群組中的至少一者:聚丙烯酸、多羧酸、十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基硫酸鈉和聚苯乙烯磺酸鈉,
所述陽離子聚合材料包括選自由以下各者組成的群組中的至少一者:聚賴氨酸、聚乙烯亞胺、氯化本索寧、5-溴-5-硝基-1,3-二惡烷、西曲溴銨、西曲氯銨、雙十八烷基二甲基氯化銨、四甲基氫氧化銨、二硬脂基二甲基氯化銨、聚羥丙基二甲基氯化銨、1,2-二油酰基-3-三甲胺丙烷和聚丙烯胺,且
所述非離子聚合材料包括選自由以下各者組成的群組中的至少一者:聚乙烯吡咯烷酮、聚環氧乙烷、聚乙烯醇、羥乙基纖維素、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、β-環糊精、果糖、葡萄糖和半乳糖。
12.根據權利要求10所述的用于鎢的拋光漿料,其中以所述拋光漿料的總量計,所述分散劑所占的量是大于0.001重量%到小于或等于1重量%。
13.根據權利要求9所述的用于鎢的拋光漿料,還包括用于使所述鎢的表面氧化的氧化劑。
14.根據權利要求13所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述氧化劑包括選自由以下各者組成的群組中的至少一者:過氧化氫、過氧化脲、過硫酸銨、硫代硫酸銨、次氯酸鈉、過碘酸鈉、過硫酸鈉、碘酸鉀、過氯酸鉀和過硫酸鉀。
15.根據權利要求13所述的用于鎢的拋光漿料,其中以所述拋光漿料的總量計,所述氧化劑所占的量是0.5重量%到5重量%。
16.根據權利要求1所述的用于鎢的拋光漿料,還包括用于控制所述拋光漿料的pH值的pH控制劑。
17.根據權利要求16所述的用于鎢的拋光漿料,其中所述拋光漿料的pH值小于或等于4。
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