[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和電子裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410432160.3
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105448750A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施林波;陳福成
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L25/065
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓和第二晶圓均包括基底以及位于基底上的層間介電層和位于所述層間介電層內(nèi)的接合焊盤，其中所述層間介電層的表面和所述接合焊盤的表面齊平；

進(jìn)行氧化物熔融鍵合工藝，以將第一晶圓和第二晶圓接合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述接合焊盤的方法包括：

在所述基底上形成所述層間介電層，并圖案化所述層間介電層，以在所述層間介電層中形成接合焊盤凹槽；

采用接合焊盤材料填充所述接合焊盤凹槽；

采用平整機(jī)進(jìn)行平坦化，使所述層間介電層的表面和接合焊盤的表面齊平。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述平整機(jī)包括鉆石車刀。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述平整機(jī)的主軸轉(zhuǎn)速為2500～3500rpm，進(jìn)料速度為0.1～0.5mm/s。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，采用電化學(xué)鍍的方法形成所述接合焊盤材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述接合焊盤材料之前還包括依次在所述接合焊盤凹槽的側(cè)壁和底部形成擴(kuò)散阻擋層和種子層的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述接合焊盤的材料為金屬銅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物熔融鍵合工藝參數(shù)包括：施加的鍵合壓力為1～10N，鍵合時間為10～60s，溫度為10～50℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在進(jìn)行所述氧化物熔融鍵合工藝之前，還包括清洗所述第一晶圓和第二晶圓的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在進(jìn)行所述氧化物熔融鍵合工藝之后，執(zhí)行退火的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度為300-400℃，時間為40-80分鐘。

12.一種基于權(quán)利要求1至11之一所述的制作方法得到的半導(dǎo)體器件。

13.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件。