[發(fā)明專利]基于線跡掃描二維近場成像的反向散射截面測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410432104.X
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN104199026A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發(fā)明（設計）人: 呂曉德;邢曙光;丁赤飚;林寬
• 申請（專利權）人: 中國科學院電子學研究所
• 主分類號: G01S13/89
• 分類號: G01S13/89;G06F19/00;G01S7/40;G01S7/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

1.一種基于線跡掃描二維近場成像的反向散射截面測量方法，其特征在于，包括：

步驟A：將收發(fā)天線、信號源和矢量分析儀相連接，在收發(fā)天線中，發(fā)射天線和接收天線之間采用環(huán)形器進行信號隔離；

步驟B：在所選定的頻率范圍內(nèi)，收發(fā)天線以預設的步進頻率沿設定的掃描線跡進行掃描，由矢量網(wǎng)絡分析儀獲得線跡散射測量點上放置待測目標前后的散射測量數(shù)據(jù)；

步驟C：對線跡散射測量點上放置待測目標前后的散射測量數(shù)據(jù)進行背景對消，得到背景對消后待測目標的真實散射測量數(shù)據(jù)；

步驟D：在預設的取值范圍和取值間隔內(nèi)取T個相位差，利用該T個相位差分別對背景對消后待測目標的真實散射測量數(shù)據(jù)進行相位補償，并進行成像，從而得到T個散射圖像，從該T個散射圖像中選取最優(yōu)聚焦的散射圖像P；

步驟E：由最優(yōu)聚焦的二維散射圖像P提取目標的有效散射系數(shù)其中，s取值范圍是[1，N×M]，N×M為二維散射圖像P中等效散射點的個數(shù)；

步驟F：將待測目標更換為定標體，重復步驟B、C、D、E，獲得定標體的有效散射系數(shù)以及

步驟G：利用已知的定標體雷達散射截面RCS值進行校準，根據(jù)待測目標的有效散射系數(shù)及定標體的有效散射系數(shù)計算出待測目標的真實目標雷達散射截面RCS值。

2.根據(jù)權利要求1所述的反向散射截面測量方法，其特征在于，所述步驟G中，待測目標的真實雷達散射截面校準公式如下：

σ(f,θ)=|∫∫Ωψefs(x,y)·ej2k(xcosθ+ysinθ)dxdy|2|∫∫Ωψefcals(x,y)·ej2k(xcosθ+ysinθ)dxdy|2σcal(f,θ)]]>

其中σ_cal(f，θ)表示已知的定標體雷達散射截面RCS值，θ表示散射方向矢量與正x軸的夾角，Ω表示成像區(qū)域，k為波數(shù)。