[發(fā)明專利]一種光刻方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410432069.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105446084B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡華勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種光刻方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：在待刻蝕膜層上依次形成正光刻膠層和表面光可分解堿性層；

步驟S102：利用掩膜板對(duì)所述正光刻膠層進(jìn)行曝光處理；

步驟S103：進(jìn)行負(fù)性顯影處理以形成圖形化的光刻膠，所述圖形化的光刻膠的頂部寬度小于等于底部寬度。

2.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解堿性層包括在涂覆光刻膠時(shí)自生成的頂部光可分解堿層。

3.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解堿性層的表面具有頂部抗水涂層，其中所述頂部抗水涂層為單獨(dú)涂覆法形成，或者在光刻膠涂覆時(shí)自生成。

4.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解堿性層中的光可分解堿包括氟化的單羧酸鹽陽(yáng)離子光可分解堿或氟化的二羧酸鹽陽(yáng)離子光可分解堿。

5.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解堿性層中的光可分解堿包括如下結(jié)構(gòu)的化合物：

其中，Y為氟，M選自硫或碘，R選自氫、氫氧根、羧基、胺基、烷基、亞烷基、芳香基和亞芳香基；n為自然數(shù)，且n的取值范圍為6-100；并且，當(dāng)x等于2時(shí)，M為碘；當(dāng)x等于3時(shí)，M為硫。

6.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解堿性層中的光可分解堿包括如下結(jié)構(gòu)的化合物：

其中，Y為氟，M選自硫或碘，R選自氫、氫氧根、羧基、胺基、烷基、亞烷基、芳香基和亞芳香基；n為自然數(shù)，且n的取值范圍為6-100；并且，當(dāng)x等于2時(shí)，M為碘；當(dāng)x等于3時(shí)，M為硫。

7.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述表面光可分解堿性層中的光可分解堿包括如下結(jié)構(gòu)的化合物：

其中，Y為氟，Z選自氫、碳、氧、氮、磷、硫、鹵素、氫氧根、烷基、亞烷基、芳香基和亞芳香基，M選自硫或碘，R選自氫、氫氧根、羧基、胺基、烷基、亞烷基、芳香基和亞芳香基；m和n為自然數(shù)，其取值范圍為6-100；并且，當(dāng)x等于2時(shí)，M為碘；當(dāng)x等于3時(shí)，M為硫。

8.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，形成所述表面光可分解堿性層的方法包括涂覆法。

9.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S101中，形成所述正光刻膠層的方法為涂覆正光刻膠，其中所述正光刻膠包括光致產(chǎn)酸劑、光刻膠添加劑和溶劑。

10.如權(quán)利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述光致產(chǎn)酸劑包括鎓鹽、芳香族重氮鹽、锍鹽、二芳基碘鹽、十二烷硫酸鹽和磺酸酯類中的至少一種。

11.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S101中，通過(guò)涂覆光刻膠的方法形成所述正光刻膠層和所述表面光可分解堿性層，其中所述光刻膠包括光分解堿、光致產(chǎn)酸劑、光刻膠添加劑和溶劑。

12.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在所述步驟S101中，在形成所述正光刻膠層之前，在所述待刻蝕膜層上形成底部抗反射層。