[發明專利]高電壓MiM電容器在審
| 申請號： | 201410431337.8 | 申請日： | 2014-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN105448887A | 公開（公告）日： | 2016-03-30 |
| 發明（設計）人： | 陳軼群;陳宗高;王海強;蒲賢勇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸勍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電壓 mim 電容器 | ||
1.一種高電壓MiM電容器，其特征在于，包括：
第一金屬極板，置于所述高電壓MiM電容器的底部作為其第一下極板；
第二金屬極板，置于所述高電壓MiM電容器的頂部作為其第二下極板；
第三金屬極板，設置于所述第一和第二金屬極板之間，作為所述高電壓MiM電容器的上極板；以及
電介質層，填充于所述第一金屬極板和所述第三金屬極板之間以及所述第二金屬極板和所述第三金屬極板之間。
2.如權利要求1所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述第一金屬極板和所述第二金屬極板經由第一通道電性連接。
3.如權利要求2所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，還包括：
電性連接頭，設置于所述高電壓MiM電容器的頂部，所述電性連接頭經由第二通道電性連接所述第三金屬極板。
4.如權利要求3所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述電性連接頭和所述第二金屬極板以相同的工藝和材料涂布于所述高電壓MiM電容器的同一平面上。
5.如權利要求1所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述電介質層由層間介質隔離材料構成。
6.如權利要求5所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述層間介質隔離材料的厚度在2000埃至20000埃之間。
7.如權利要求1所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述第三金屬極板的厚度在200埃至3000埃之間。
8.如權利要求1所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述高電壓MiM電容器的工作電壓在0伏至1200伏之間。
9.如權利要求1所述的高電壓MiM電容器，其特征在于，所述第一金屬極板和所述第三金屬極板之間的電介質層的厚度不同于所述第二金屬極板和所述第三金屬極板之間的電介質層厚度。
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