[發明專利]顯示設備以及顯示設備的制造方法

在審

• 申請號: 201410431223.3
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN104793411A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 陳俞永;洪錫埈;李宇宰
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種顯示設備，包括：

基板；

薄膜晶體管，在所述基板上；

像素電極，連接至所述薄膜晶體管；

公共電極，在所述像素電極上，所述公共電極由多個微腔與所述像素電極間隔開，所述多個微腔包括夾在所述公共電極和所述像素電極之間的微腔；

頂層，在所述公共電極上；

液晶層，填充所述微腔；以及

密封層，在所述頂層上以密封所述微腔，

其中，位于所述微腔的邊緣處的所述公共電極具有臺階形狀。

2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述公共電極覆蓋所述微腔的頂面和側面，并且

所述公共電極的覆蓋所述微腔的所述側面的部分具有臺階形狀。

3.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述微腔布置為矩陣形狀，并且

所述顯示設備進一步包括：

第一谷部，位于沿列方向彼此鄰近的微腔之間；以及

第二谷部，位于沿行方向彼此鄰近的微腔之間。

4.根據權利要求3所述的顯示設備，其中，所述公共電極進一步在所述第二谷部上。

5.根據權利要求4所述的顯示設備，其中，所述公共電極的鄰近所述第二谷部的部分呈臺階形狀。

6.根據權利要求5所述的顯示設備，進一步包括：

絕緣層，在所述薄膜晶體管上，

其中，所述公共電極直接在所述第二谷部中的所述絕緣層上。

7.一種顯示設備的制造方法，所述方法包括：

在基板上形成薄膜晶體管；

形成連接至所述薄膜晶體管的像素電極；

在所述像素電極上形成第一阻擋層；

在所述第一阻擋層上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成第二阻擋層；

在所述犧牲層上形成公共電極；

在所述公共電極上形成頂層；

圖案化所述公共電極和所述頂層，以暴露所述犧牲層的一部分；

去除所述犧牲層，以在所述像素電極與所述公共電極之間形成微腔；

去除所述第一阻擋層和所述第二阻擋層；

在所述微腔內注入液晶材料，以形成液晶層；以及

形成密封層以覆蓋所述微腔被暴露的部分，從而密封所述微腔。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，包括所述微腔的多個微腔布置成矩陣形狀，

第一谷部位于沿列方向彼此鄰近的微腔之間，以及

第二谷部位于沿行方向彼此鄰近的微腔之間。

9.根據權利要求8所述的制造方法，進一步包括：

在形成所述第二阻擋層之后，圖案化所述第一阻擋層和所述第二阻擋層。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中，在圖案化所述第一阻擋層和所述第二阻擋層時，去除所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的位于所述第二谷部處的部分。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其中，所述公共電極進一步形成在所述第二谷部上。

12.根據權利要求11所述的制造方法，其中，所述公共電極的鄰近所述第二谷部的部分形成為臺階形狀。

13.根據權利要求12所述的制造方法，進一步包括：

在所述薄膜晶體管上形成絕緣層，

其中，所述公共電極直接形成在所述第二谷部中的所述絕緣層上。

14.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述公共電極覆蓋所述微腔的頂面和側面，并且

所述公共電極的覆蓋所述微腔的所述側面的部分形成為具有臺階形狀。

15.根據權利要求7所述的制造方法，其中，在去除所述第一阻擋層和所述第二阻擋層時，通過使用濕刻蝕方法來去除所述第一阻擋層和所述第二阻擋層。

16.根據權利要求15所述的制造方法，其中，在去除所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的過程中，不去除所述像素電極和所述公共電極。

17.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的每一個包括銅。

18.根據權利要求17所述的制造方法，其中，所述像素電極和所述公共電極的每一個包括氧化銦錫或氧化銦鋅。