[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201410430698.0
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105374754B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 劉志坤;施平;陳應杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/02
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，在所述半導體基底上依次形成氧化層、第一多晶硅層和氧化物-氮化物-氧化物介電層；

在所述氧化物-氮化物-氧化物介電層上形成圖案化光刻膠；

以所述圖案化光刻膠為掩膜進行干法刻蝕，以形成圖案化的第一多晶硅層和圖案化的介電層，以所述氧化層作為浮柵氧化層，以所述圖案化的第一多晶硅層作為浮柵，以所述圖案化的介電層作為柵間介質層；其中，所述圖案化的第一多晶硅層和圖案化的介電層側壁形成有刻蝕殘留物；

將半導體基底浸入可去除所述刻蝕殘留物、且對所述圖案化光刻膠呈惰性的清洗溶液；

去除圖案化光刻膠。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在去除圖案化光刻膠后，在所述圖案化的第一多晶硅層上形成圖案化的第二多晶硅層，以作為控制柵。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，以所述圖案化光刻膠為掩膜進行干法刻蝕時，采用CF₄、H₂和O₂的混合氣體干法刻蝕所述介電層和第一多晶硅層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液為氫氟酸或BOE緩沖刻蝕溶液。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的體積比濃度為1:80至1:120；所述BOE緩沖刻蝕溶液中NH₄F與HF的體積比為6:1。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，當使用氫氟酸溶液時，浸入時間為5s至15s。