[發明專利]一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法在審
| 申請號： | 201410430029.3 | 申請日： | 2014-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN104215673A | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 金涵;鄭雁公;張秀芳 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | G01N27/26 | 分類號： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 寧波市天晟知識產權代理有限公司 33219 | 代理人： | 張文忠 |
| 地址： | 315211 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 選擇性 一氧化氮 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：包括以下步驟：
步驟一、采用流延成型技術制成YSZ生瓷片，將YSZ生瓷片在空氣中進行排膠后，放入燒結爐中燒結，得到鋯基固體電解質基層(1)；
步驟二、將重鉻酸鉀、甲醛、檸檬酸按摩爾比1:6:0.6混合后溶解于去離子水中，將混合溶液轉入反應釜中反應得到凝膠，得到的凝膠水洗后干燥得到Cr2O3粉末，再將Cr2O3粉末煅燒得到片狀Cr2O3粉體，然后將片狀Cr2O3粉體溶入高分子化學試劑中，配制出Cr2O3電極漿料；
步驟三、將步驟二中配制的Cr2O3電極漿料，采用絲網印刷技術步驟一得到的鋯基固體電解質基層(1)的一側制出片狀多孔Cr2O3敏感電極后，放入干燥箱干燥；
步驟四、在所述的片狀多孔Cr2O3敏感電極(2)上點涂Pt漿(4)，并引出電極引線(5)；
步驟五、在所述的鋯基固體電解質基層(1)的另一側，采用絲網印刷技術將鉑金漿料制出多孔Pt參比電極(3)，并引出電極引線(5)；
步驟六、將已制出片狀多孔Cr2O3敏感電極(2)和多孔Pt參比電極(3)的鋯基固體電解質基層(1)燒結成型，得到鋯基一氧化氮傳感器。
2.一種根據權利要求1所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟一中YSZ生瓷片的厚度為0.3mm至1mm。
3.一種根據權利要求2所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟一中排膠溫度為350℃至400℃，排膠時間為20小時。
4.一種根據權利要求3所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟一中燒結溫度為1200℃至1400℃，燒結時間為2小時。
5.一種根據權利要求4所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟二中在反應釜中的反應溫度為180℃，反應時間為1小時。
6.一種根據權利要求5所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟二中干燥溫度為140℃。
7.一種根據權利要求6所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟二中煅燒溫度為1000℃，煅燒時間為2小時。
8.一種根據權利要求7所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的高分子化學試劑為異戊醇。
9.一種根據權利要求8所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟三中在干燥箱干燥的時間為2小時。
10.一種根據權利要求9所述的一種高選擇性鋯基一氧化氮傳感器的制備方法，其特征是：所述的步驟六中燒結溫度為900至1000℃，燒結時間為2小時。
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