[發明專利]微電子裝置及制造方法、微機電封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 201410429767.6
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN104326436B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 徐新惠;李昇達;王傳蔚
• 申請（專利權）人: 原相科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司31264
• 代理人: 楊波

1.一種微電子裝置，其特征在于其包括：

一基底，具有一CMOS電路區與一微機電區，其中該CMOS電路區與該微機電區是位于該基底的相同水平上；

至少一半導體元件，配置于該基底的該CMOS電路區內；

一抗金屬離子層，配置于該基底的該CMOS電路區上而覆蓋該半導體元件；

一非摻雜氧化層，配置于該基底的該微機電區上；以及

一微機電結構，部分地懸于該非摻雜氧化層上方，所述微機電結構包括位于該微機電區上的多層金屬層、位于該微機電區上的多個接觸窗及位于該微機電區上的多層氧化層，其中該些金屬層與該些氧化層交錯層疊，而該些接觸窗位于該些氧化層內，該CMOS電路區與該微機電區至少共享部分相同的金屬層。

2.根據權利要求1所述的微電子裝置，其特征在于其更包括一內連線結構，配置于該抗金屬離子層上。

3.根據權利要求1所述的微電子裝置,其特征在于其中所述的抗金屬離子層為摻磷的硅氧化層。

4.一種微機電封裝結構,其特征在于其包括：

一基底，具有一CMOS電路區與一微機電區，其中該CMOS電路區與該微機電區是位于該基底的相同水平上；

至少一半導體元件，配置于該基底的該CMOS電路區；

一微機電結構，部分地懸于該基底上方，所述微機電結構包括位于該微機電區上的多層金屬層、位于該微機電區上的多個接觸窗及位于該微機電區上的多層氧化層，其中位于該微機電結構上方的該金屬層具有多個第一開口，該些金屬層與該些氧化層交錯層疊，而該些接觸窗位于該些氧化層內，該CMOS電路區與該微機電區至少共享部分相同的金屬層；

一遮罩層，配置于該金屬層上方，并具有多個第二開口，其中該些第二開口與該些第一開口交錯分布，該遮罩層的材質為鋁、非晶硅或碳化硅；以及

一封裝層，配置于該遮罩層上，并填入該些第二開口而連接至該金屬層。

5.根據權利要求4所述的微機電封裝結構,其特征在于其中所述的遮罩層與該封裝層的材質包括金屬材料或非晶硅。

6.根據權利要求5所述的微機電封裝結構,其特征在于其中所述的 該封裝層的材質包括鋁。