[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410429498.3 | 申請(qǐng)日： | 2014-08-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104425617B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-08-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 竹脅利至;宮本廣信 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/78 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;張寧 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
改進(jìn)氮化物半導(dǎo)體材料制成的功率MISFET的可靠性。應(yīng)變松弛膜布置在聚酰亞胺膜和柵極電極之間，以抑制從聚酰亞胺膜施加在電子供給層上的應(yīng)力，并抑制在電子供給層和溝道層中產(chǎn)生的應(yīng)力應(yīng)變。作為結(jié)果，抑制溝道層中的溝道電子濃度的變化，以防止功率MISFET的閾值電壓或通態(tài)電阻波動(dòng)。
這里通過(guò)引用并入2013年8月28日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2013-176460的全部公開(kāi)內(nèi)容，包括說(shuō)明書(shū)、附圖和摘要。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件可以?xún)?yōu)選地用于例如由氮化物半導(dǎo)體材料制成的MISFET(金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
背景技術(shù)
近年來(lái)，已經(jīng)提出由氮化物半導(dǎo)體材料制成的功率MISFET。
例如，日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2010-135824公開(kāi)了一種由氮化物半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體器件，其包括連接到導(dǎo)電襯底的第一源極電極和朝著漏極電極延伸使得覆蓋柵極電極上側(cè)的第二源極電極。
同樣，日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2010-027734公開(kāi)了一種氮化物半導(dǎo)體器件，其中源極焊盤(pán)和柵極焊盤(pán)形成在組件芯片的一個(gè)表面之上，漏極電極形成在該組件芯片的另一表面之上，并且鋁導(dǎo)線(xiàn)接合到漏極電極。
同樣，日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2008-177527公開(kāi)了一種氮化物半導(dǎo)體器件，其中第一電極形成在氮化物半導(dǎo)體層的有源區(qū)域中，并且電連接到第一電極的第一電極焊盤(pán)形成在覆蓋柵極電極的層間絕緣膜的上部區(qū)域中。
發(fā)明內(nèi)容
研究了作為功率MISFET的材料的從硅(Si)到氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變。然而，由于氮化鎵(GaN)是壓電特性高的材料，所以在氮化鎵(GaN)中容易產(chǎn)生極化電荷。因此，由氮化鎵(GaN)制成的功率MISFET在器件特性上存在問(wèn)題，例如閾值電壓和通態(tài)電阻的波動(dòng)。
其它問(wèn)題和新穎特征將從本說(shuō)明書(shū)和附圖的描述中變得顯而易見(jiàn)。
在一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)變松弛膜被布置在保護(hù)功率MISFET的樹(shù)脂膜和功率MISFET之間。應(yīng)變松弛膜抑制從樹(shù)脂膜施加到功率MISFET的應(yīng)力。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以改進(jìn)由氮化物半導(dǎo)體材料制成的功率MISFET的可靠性。
附圖說(shuō)明
圖1是圖示現(xiàn)有技術(shù)中功率MISFET的配置示例的截面圖；
圖2是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的功率MISFET的配置示例的局部放大平面圖；
圖3是沿著圖2的線(xiàn)A-A所取的截面圖；
圖4是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖5是示出繼圖4之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖6是示出繼圖5之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖7是示出繼圖6之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖8是示出繼圖7之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖9是示出繼圖8之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖10是示出繼圖9之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖11是示出繼圖10之后的制造功率MISFET的工藝的截面圖；
圖12是圖示根據(jù)第二實(shí)施例的功率MISFET的配置示例的局部放大平面圖；
圖13是沿著圖12的線(xiàn)B-B所取的截面圖；
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
