[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號： | 201410429433.9 | 申請日： | 2009-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN104332472B | 公開（公告）日： | 2017-06-09 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;秋元健吾;小森茂樹;魚地秀貴;二村智哉;笠原崇廣 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 付曼,湯春龍 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種液晶顯示裝置，包括：
掃描線驅動電路，所述掃描線驅動電路包括第一晶體管；
像素部，所述像素部包括第二晶體管；以及
保護電路，所述保護電路包括第三晶體管和第四晶體管，
其中，所述第一晶體管與所述第二晶體管通過掃描線互相電連接，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之一與所述第四晶體管的源極和漏極之一電連接到所述掃描線，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之中另一個與所述第四晶體管的源極和漏極之中另一個電連接到公共布線，
其中，所述第三晶體管的柵極電連接到所述掃描線，
其中，所述第四晶體管的柵極電連接到所述公共布線，并且
其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管以及所述第四晶體管中的每一個包括氧化物半導體層。
2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述氧化物半導體層包括銦、鎵以及鋅。
3.一種顯示裝置，包括：
陀螺儀傳感器；
掃描線驅動電路，所述掃描線驅動電路包括在襯底上的第一晶體管；
像素部，所述像素部包括在所述襯底上的第二晶體管；以及
保護電路，所述保護電路包括在所述襯底上的第三晶體管和第四晶體管，
其中，所述第一晶體管與所述第二晶體管通過掃描線互相電連接，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之一與所述第四晶體管的源極和漏極之一電連接到所述掃描線，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之中另一個與所述第四晶體管的源極和漏極之中另一個電連接到公共布線，
其中，所述第三晶體管的柵極電連接到所述掃描線，
其中，所述第四晶體管的柵極電連接到所述公共布線，并且
其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管以及所述第四晶體管中的每一個包括氧化物半導體層。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述氧化物半導體層包括銦、鎵以及鋅。
5.根據權利要求3所述的顯示裝置，還包括液晶元件。
6.一種顯示裝置，包括：
加速度傳感器；
掃描線驅動電路，所述掃描線驅動電路包括在襯底上的第一晶體管；
像素部，所述像素部包括在所述襯底上的第二晶體管；以及
保護電路，所述保護電路包括在所述襯底上的第三晶體管和第四晶體管，
其中，所述第一晶體管與所述第二晶體管通過掃描線互相電連接，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之一與所述第四晶體管的源極和漏極之一電連接到所述掃描線，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之中另一個與所述第四晶體管的源極和漏極之中另一個電連接到公共布線，
其中，所述第三晶體管的柵極電連接到所述掃描線，
其中，所述第四晶體管的柵極電連接到所述公共布線，并且
其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管以及所述第四晶體管中的每一個包括氧化物半導體層。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述氧化物半導體層包括銦、鎵以及鋅。
8.根據權利要求6所述的顯示裝置，還包括液晶元件。
9.一種發光顯示裝置，包括：
掃描線驅動電路，所述掃描線驅動電路包括第一晶體管；
像素部，所述像素部包括第二晶體管；以及
保護電路，所述保護電路包括第三晶體管和第四晶體管，
其中，所述第一晶體管與所述第二晶體管通過掃描線互相電連接，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之一與所述第四晶體管的源極和漏極之一電連接到所述掃描線，
其中，所述第三晶體管的源極和漏極之中另一個與所述第四晶體管的源極和漏極之中另一個電連接到公共布線，
其中，所述第三晶體管的柵極電連接到所述掃描線，
其中，所述第四晶體管的柵極電連接到所述公共布線，并且
其中，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管以及所述第四晶體管中的每一個包括氧化物半導體層。
10.根據權利要求9所述的發光顯示裝置，其中，所述氧化物半導體層包括銦、鎵以及鋅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
