[發明專利]AMOLED結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201410429175.4 | 申請日: | 2014-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN104201191B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 鄧學易 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海唯源專利代理有限公司31229 | 代理人: | 曾耀先 |
| 地址: | 201508 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | amoled 結構 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種AMOLED結構及其制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic?Light)Emitting?Diode,OLED)具有自發光的特性,采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板,當電流通過時,有機材料就會發光,而且有機發光二極管顯示屏幕可視角度大,并且能夠顯著節省電能,因此現在有機發光二極管的應用越來越廣泛。OLED的驅動方式分為被動式驅動和主動式驅動,被動式驅動即無源驅動(PMOLED,Passive?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode(被動式有機電激發光二極管),主動式驅動即有源驅動(AMOLED,Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode,有源矩陣有機發光二極管面板)。因PMOLED的大尺寸化難度大,為維持整個面板的亮度,需提高每一像素的亮度而提高操作電流,因此減少使用壽命,所以目前的應用來看,AMOLED越來越受到人們的歡迎。
AMOLED相比傳統的液晶面板,具有反應速度快、對比度高、視角廣等特點。另外AMOLED還具有自發光的特色,不需使用背光板,因此比傳統的液晶面板更輕薄,還可以省去背光模塊的成本。多方面的優勢使其具有良好的應用前景。
現行AMOLED多為TFT有源驅動OLED元件,其制造為TFT蒸鍍上OLED元件后加上蓋板封裝,顯示觀看面為蓋板面,還可以在蓋板上加一層觸摸屏加以充分利用。而TFT的背面則保持完整,對其進行后續的薄化處理外并無做任何利用。現行的市場競爭中,AMOLED向著超薄的方向發展,越薄的顯示屏在市場競爭中越占優勢。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的缺陷,提供一種AMOLED結構及其制作方法,可以解決AMOLED中的TFT背面無法充分利用的問題,以達到減薄AMOLED厚度的效果。
實現上述目的的技術方案是:
本發明一種AMOLED結構,包括硅片、TFT電路層、主板電路層、OLED器件層、第一封裝層、以及第二封裝層,所述硅片包括相對的頂面和底面,所述TFT電路層設于所述硅片的頂面,所述主板電路層設于所述硅片的底面,所述OLED器件層設于所述TFT電路層之上,所述第一封裝層包覆所述TFT電路層和所述OLED器件層,所述第二封裝層包覆所述主板電路層。
將TFT制作的底材由原有的玻璃基板改為硅片,將AMOLED的主板電路設置在硅片的背面,有效地利用硅片空間,將主板電路與TFT電路集成于硅片的背面與頂面,而現有的顯示結構中主板電路不僅有單獨的玻璃基板,且為容置主板電路的連接線還留設有空間,本發明的AMOLED結構省去了主板電路的單獨基板以及預留的空間,利用硅片的背面承載主板電路,可有效減薄AMOLED結構的整體厚度。
本發明一種AMOLED結構的進一步改進在于,所述主板電路層包括驅動電路、與所述驅動電路分別連接的CPU以及存儲器。
本發明一種AMOLED結構的進一步改進在于,所述驅動電路電連接所述TFT電路層。
本發明一種AMOLED結構的進一步改進在于,所述第一封裝層和所述第二封裝層為薄膜封裝層。
本發明一種AMOLED結構的進一步改進在于,所述第一封裝層為圍堰填充膠封裝層。
本發明一種上述AMOLED結構的制作方法,包括:
提供一基板,于所述基板的頂面及底面分別形成磊晶;
于所述基板底面的磊晶之上制作主板電路,形成主板電路層;
于所述基板頂面的磊晶之上制作TFT電路,形成TFT電路層;
封裝所述主板電路層,形成第二封裝層;
于所述TFT電路層之上蒸鍍OLED器件,形成OLED器件層;
封裝所述TFT電路層和所述OLED器件層,形成第一封裝層。
將主板電路與TFT電路集成于基板的背面與頂面,利用基板的背面承載主板電路,省去了主板電路的單獨基板以及預留的空間,可有效減薄AMOLED結構的整體厚度。
本發明一種AMOLED結構的制作方法的進一步改進在于,制作主板電路包括:
于所述基板底面的磊晶之上生成氧化層;
于所述氧化層之上涂覆光阻,形成光阻層;
用紫外光透過光罩照射所述光阻層;
采用顯影處理,將所述光阻層內未被紫外光照射的區域溶解去除,進而露出氧化層;
用氬氟酸將露出的氧化層蝕刻去除,用化學溶液去除剩余的光阻層,于所述氧化層上形成了電路圖案;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





