[發明專利]雙層高K介質結構的制作方法在審
| 申請號： | 201410428663.3 | 申請日： | 2014-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN104183474A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 雷通 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙層 介質 結構 制作方法 | ||
1.一種雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，包括：
步驟S01：提供半導體襯底，其上具有間隔設置的淺溝槽隔離；
步驟S02：使所述半導體襯底循環暴露于鉿基化合物以及水蒸氣，以形成預定厚度的第一氧化鉿層；
步驟S03：使所述第一氧化鉿層循環暴露于鉿基化合物以及強氧化劑，以形成預定厚度的第二氧化鉿層；
步驟S04：在所述第二氧化鉿層表面形成金屬柵材料層。
2.如權利要求1所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，所述強氧化劑包括臭氧或雙氧水。
3.如權利要求2所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，所述雙氧水的質量比溶度為30％-50％。
4.如權利要求1所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，所述鉿基化合物為TEMAH、[(C2H5)(CH3)N]4或HfCl4。
5.如權利要求1所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，所述步驟S02中，通過原子層沉積工藝形成第一氧化鉿層。
6.如權利要求5所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，所述第一氧化鉿層的厚度為
7.如權利要求5所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，形成所述第一氧化鉿層的環境溫度為150℃-400℃。
8.如權利要求1所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，所述步驟S03中，通過原子層沉積工藝形成第二氧化鉿層。
9.如權利要求8所述的雙層高K介質結構的制作方法，其特征在于，形成所述第二氧化鉿層的環境溫度為150℃-400℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
