[發(fā)明專利]一種硅通孔工藝中籽晶層的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410428614.X
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN104183546B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡正軍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，采用一具有硅通孔的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，還包括：

步驟S01：采用帶偏壓的物理氣相沉積工藝向所述硅通孔中進(jìn)行第一次籽晶層淀積過程，在所述硅通孔中及其頂部外表面形成第一籽晶層；

步驟S02：對所述第一籽晶層進(jìn)行回流過程，形成具有光滑表面的第一籽晶層；回流過程中，采用的氣體為H₂、He、和NH₃；

步驟S03：采用帶偏壓的物理氣相沉積工藝向所述硅通孔中進(jìn)行第二次籽晶層淀積過程，在所述第一籽晶層表面形成第二籽晶層；其中，第二次籽晶層淀積過程采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流功率為40-90KW，偏壓功率0-500W，淀積時間為10-30sec。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，其特征在于，所述第一次籽晶層的淀積過程在一反應(yīng)腔中進(jìn)行，所述回流過程采用具有靜電吸盤的回流腔體，所述步驟S02具體包括：

步驟L01：在真空環(huán)境下，將所述完成所述步驟S01的半導(dǎo)體襯底從所述反應(yīng)腔中轉(zhuǎn)移至所述回流腔體的靜電吸盤上；

步驟L02：向所述回流腔體內(nèi)通入反應(yīng)氣體；

步驟L03：加熱并開始進(jìn)行所述回流過程。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，其特征在于，所述He從所述靜電吸盤中通入到所述回流腔體中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，其特征在于，所述He的流量為5-10sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，其特征在于，所述回流過程中，采用的溫度為200-500℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，其特征在于，所述第一次籽晶層淀積過程的淀積時間大于所述第二次籽晶層淀積過程的淀積時間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅通孔工藝中籽晶層的形成方法，其特征在于，所述第一次籽晶層淀積過程的參數(shù)包括：直流功率為40-90KW，偏壓功率500-2000W，淀積時間為10-90sec。