[發明專利]一種刻蝕方法

有效

• 申請號: 201410427703.2
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN105448703B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 楊蕓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張東梅

1.一種半導體器件制作方法，包括：

a)提供半導體襯底，所述半導體襯底具有有源區在所述有源區上依次形成隧道氧化物層、多晶硅層、掩膜層；

b)采用等離子體刻蝕工藝依次刻蝕掩膜層、多晶硅層和隧道氧化物層，形成溝槽；

c)在所述溝槽側壁上形成保護膜；

d)繼續刻蝕所述有源區，形成隔離溝槽；

e)去除所述保護膜；

f)在所述隔離溝槽內壁形成內襯氧化物；以及

g)填充所述隔離溝槽，其中，

步驟c)中所述保護膜為執行步驟b)過程中形成的刻蝕副產品的聚合物，

步驟c)包括在刻蝕室增加一定量的刻蝕副產品聚合物，并且

步驟c)和步驟d)的時間被設置成使得所述保護膜能夠充分保護所述多晶硅層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，重復所述步驟c)和步驟d)，直到達到預定的刻蝕深度。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過灰化去除所述副產品聚合物。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過清洗去除所述副產品聚合物。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過爐管加熱氧化來形成所述內襯氧化物。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、旋涂沉積、快速氣相沉積、可流動膜沉積在所述隔離溝槽中填充氧化硅。

7.一種半導體器件，包括通過權利要求1至6中的任一項所述方法制造的半導體結構。