[發明專利]一種基于深亞微米CMOS工藝的橫向MOM電容有效

申請號：	201410427404.9	申請日：	2014-08-27
公開（公告）號：	CN104882430A	公開（公告）日：	2015-09-02
發明（設計）人：	趙鵬輝;張建平;李羅生	申請（專利權）人：	北京中電華大電子設計有限責任公司
主分類號：	H01L23/522	分類號：	H01L23/522
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	100102 北京市朝陽***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種基于微米 cmos 工藝橫向 mom 電容
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【權利要求書】：

1.一種基于深亞微米CMOS工藝的橫向MOM電容，該電容由多層金屬堆疊而成，同一層金屬采用工藝允許的最小寬度和最小間距，同層相鄰的金屬和層間介質構成橫向電容C，同層金屬中包含多個橫向電容C，多層的多個橫向電容C并聯構成橫向MOM電容，不同層金屬兩側垂直相連的金屬構成橫向MOM電容的金屬互聯區，水平排布的橫向電容C構成橫向MOM電容的電容區，不同層金屬在金屬互聯區通過金屬VIA相連，不同層金屬在電容區無連接。

2.如權利要求1所述的電容，其特征在于同層金屬采用叉指結構，電容的叉指個數和長度均可根據需要進行調整。

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