[發(fā)明專利]一種基于深亞微米CMOS工藝的橫向MOM電容有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410427404.9 | 申請日： | 2014-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN104882430A | 公開（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙鵬輝;張建平;李羅生 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 微米 cmos 工藝 橫向 mom 電容 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種基于深亞微米CMOS工藝的橫向MOM電容，該電容由多層金屬堆疊而成，同一層金屬采用工藝允許的最小寬度和最小間距，同層相鄰的金屬和層間介質(zhì)構(gòu)成橫向電容C，同層金屬中包含多個橫向電容C，多層的多個橫向電容C并聯(lián)構(gòu)成橫向MOM電容，不同層金屬兩側(cè)垂直相連的金屬構(gòu)成橫向MOM電容的金屬互聯(lián)區(qū)，水平排布的橫向電容C構(gòu)成橫向MOM電容的電容區(qū)，不同層金屬在金屬互聯(lián)區(qū)通過金屬VIA相連，不同層金屬在電容區(qū)無連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電容，其特征在于同層金屬采用叉指結(jié)構(gòu)，電容的叉指個數(shù)和長度均可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。
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