[發(fā)明專利]一種高精度低功耗電源毛刺檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410427374.1
• 申請(qǐng)日: 2014-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN104714193A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊星;孫泳;陳艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G01R31/40
• 分類號(hào): G01R31/40
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種高精度低功耗電源毛刺檢測(cè)電路，其特征在于：該電路包括采樣模塊、溫度工藝角補(bǔ)償模塊、正毛刺檢測(cè)模塊、負(fù)毛刺檢測(cè)模塊、反相器；其中：

所述采樣模塊由電阻R1、R2、R3與溫度工藝角補(bǔ)償模塊中的PM4、PM5串聯(lián)，電容C1與R1、R2、PM4、PM5并聯(lián)，電容C2與R2、R3并聯(lián)組成，C1的一端為GND，另一端為R2、R3的公共節(jié)點(diǎn)VDDIN1，電容C2的一端為VDD另一端為R1、R2的公共節(jié)點(diǎn)VDDIN2；

所述溫度工藝角補(bǔ)償模塊由PM4、PM5組成，PM4的柵端和漏端共同接地、源端與PM5的柵端和漏端向接，PM5的源端接電阻R1的一端，PM4和PM5形成兩個(gè)二極管接法；

所述負(fù)毛刺檢測(cè)模塊由PM1、NM1、NM3、PM3構(gòu)成；PM1源端接VDDIN1、柵端接VDD、漏端接B，NM1柵端和漏端接B、源端接GND，NM3柵端接B，與NM1形成電流鏡接法，源端接GND，NM3漏端與PM3漏端共同接公共節(jié)點(diǎn)A，PM3源接VDD，柵接VDDIN2，負(fù)毛刺檢測(cè)模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)電源上出現(xiàn)的負(fù)毛刺進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)；

所述正毛刺檢測(cè)模塊由PMOS管PM2、NM1、NM3、PM3構(gòu)成；PM2源端接VDDIN2、柵端接VDDIN1、漏端接B，NM1柵端和漏端接B、源端接GND，NM3柵端接B，與NM1形成電流鏡接法，源端接GND，NM3漏端與PM3漏端共同接公共節(jié)點(diǎn)A，PM3源接VDD，柵接VDDIN2；正毛刺檢測(cè)模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)電源上出現(xiàn)的負(fù)毛刺進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)；

反相器由PM6、NM6、PM7、NM7構(gòu)成；PM6柵端與NM6柵端共同接公共節(jié)點(diǎn)A、PM6漏端和NM6漏端共同與PM7柵端和NM7柵端相接，PM6源端接VDD，NM6源端接GND，PM7漏端和NM7漏端共同接VOUT，PM7源端接VDD，NM7源端接GND。

2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于所述采樣模塊可以通過調(diào)節(jié)R1、R2、R3的值來靈活設(shè)定VDDIN1和VDDIN2的值，以此來實(shí)現(xiàn)檢測(cè)毛刺深度可調(diào)的能力。

3.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于所述溫度工藝角補(bǔ)償模塊利用PM4和PM5在電阻串中形成兩個(gè)Vth的電壓，以此構(gòu)建了隨溫度和工藝角變化的VDDIN1。

4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于所述正負(fù)毛刺檢測(cè)模塊中NM3的寬長比大于NM1的寬長比，PM3的長小于寬，PM3的柵也可以接地電阻串中的其他位置。