[發明專利]淺溝槽隔離結構的制備方法有效
| 申請號： | 201410427369.0 | 申請日： | 2014-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN104157602B | 公開（公告）日： | 2019-11-22 |
| 發明（設計）人： | 肖天金;康俊龍 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吳世華;林彥之<國際申請>=<國際公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 制備 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離結構的制備方法，包括依次進行：在半導體襯底中形成溝槽、在溝槽中形成線形氧化層、在溝槽內填充隔離介質層和高溫退火，其特征在于，所述形成線形氧化層的方法包括：
步驟S41：在所述溝槽的內表面沉積氮化層；
步驟S42：氧化所述氮化層，在所述溝槽的內表面形成氮氧化層，所述氮氧化層包括被氧化的所述氮化層和所述溝槽的與所述氮化層接觸的表面。
2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述在半導體襯底中形成溝槽的過程具體包括：
步驟S1：提供一個半導體襯底；
步驟S2：經刻蝕工藝，在所述半導體襯底中形成溝槽；
步驟S3：對所述溝槽進行表面清洗。
3.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述步驟41中，采用原子層沉積工藝來沉積所述氮化層。
4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝所采用的反應氣體包括：SiH2Cl2和NH3，工藝參數為：沉積溫度400-650℃，反應氣體SiH2Cl2的流量為1～5slm，NH3的流量為2～10slm，射頻功率為80-200W。
5.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述步驟42中，采用原位水蒸氣氧化工藝來氧化所述氮化層。
6.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述步驟41中，所述氮化層的厚度為
7.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述步驟42中，所述氮氧化層的厚度為
8.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述步驟42中，所述氮氧化層的材料為氮氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
