[發明專利]微間距圖案的布線結構

在審

• 申請號: 201410427368.6
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN105304621A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 謝永偉;施政宏;王凱億;黃賀昌;陳柏豪
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/528
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明是關于一種布線結構，特別是關于一種微間距圖案的布線結構。

背景技術

由于半導體工藝的演進，在半導體基板上的裝置(device)及線路(trace)分布越趨緊密，特別是在微間距(fine-pitch)圖案化工藝中，半導體基板上的線路寬度僅有10μm左右，而線路與線路之間的空間也僅約10μm，因此，一般微間距(fine-pitch)圖案化工藝選自于濕式蝕刻或干式蝕刻進行線路層的蝕刻及圖案化，其中干式蝕刻是利用氣體離子(電漿)將不需要的金屬層移除，但由于干式蝕刻的制作成本過高，一般工業上仍以濕式蝕刻進行線路層的圖案化較為常見。

濕式蝕刻乃利用蝕刻液與金屬層進行置換反應，進而移除不需要的金屬層，濕式蝕刻的工藝可簡述如下，首先將半導體基板上鍍上金屬層，接著在該金屬層上覆蓋光阻層，接著借由光罩將該光阻層曝光及顯影，以圖案化該光阻層，接著在顯露的該金屬層上鍍上線路層，再以蝕刻工藝將光阻層及線路間的金屬層移除，而形成該半導體基板的線路。但由于在微間距圖案化的工藝中，線路的寬度較小外，線路及線路之間的空間亦相當狹小，因此常造成蝕刻液在線路及線路間的三面封閉的空間中置換性較差，導致該空間中會殘留有金屬層而無法將其徹底移除。

有鑒于上述現有的微間距圖案化工藝存在的問題，本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新的微間距圖案的布線結構，能夠改進一般現有的微間距圖案化工藝，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計,并經過反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。

發明內容

本發明的主要目的在于借由第一導線部的第一線段至第二導線部的第三線段之間的第一間距大于第一導線部的第二線段至第二導線部的第四線段之間的第二間距，使得連接部、第三線段及第一線段之間形成的三面封閉的蝕刻空間可進行徹底的蝕刻，而避免金屬層的殘留。

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。本發明的一種微間距圖案的布線結構包含連接部、第一導線部及第二導線部，該第二導線部經由該連接部電性連接該第一導線部，且該連接部、該第一導線部及該第二導線部為同一層的金屬層，該第一導線部具有第一線段及第二線段，該第一線段連接該連接部，該第二線段連接該第一線段，且該第二線段經由該第一線段電性連接該連接部，該第二導線部具有第三線段及第四線段，該第三線段連接該連接部，且該連接部、該第三線段及該第一線段形成一三面封閉的蝕刻空間，該第四線段連接該第三線段，該第四線段經由該第三線段電性連接該連接部，該第三線段至該第一線段之間具有第一間距，該第四線段至該第二線段之間具有第二間距，該一間距大于該第二間距。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的微間距圖案的布線結構，其中該第二導線部的該第三線段具有直線部及彎折部，該直線部連接該連接部，該彎折部連接該直線部及該第四線段，該直線部具有第一側面，該彎折部具有第二側面，該第一側面及該第二側面朝向該蝕刻空間，該第一側面至該第二側面之間具有第一夾角，該第一夾角小于180度。

前述的微間距圖案的布線結構，其中該第一夾角介于90至180度之間。

前述的微間距圖案的布線結構，其中該彎折部具有第一端及第二端，該第一端連接該直線部，該第二端連接第四線段，且該彎折部的該第二側面及該第一線段之間具有第三間距，該第三間距由該第一端朝向該第二端漸縮。

前述的微間距圖案的布線結構，其中該第二導線部具有寬度，該寬度與該第一間距的比例介于1:2至1:3之間。

前述的微間距圖案的布線結構，其中該第二導線部具有高度，該寬度與該高度的比例介于1:0.8至1:1.2之間。

前述的微間距圖案的布線結構，其另包含有第三導線部，該第二導線部位于該第一導線部及該第三導線部之間，該第三導線部至該第二導線部之間具有第四間距，該第四間距不小于該第二間距。

前述的微間距圖案的布線結構，其另包含有第三導線部，該第二導線部位于該第一導線部及該第三導線部之間，該第三導線部具有讓位線段，其中該彎折部具有第三側面，該第三側面朝向該第三導線部，該讓位線段具有第四側面，該第四側面至該第三側面之間具有第二夾角，該第二夾角小于1度。