[發明專利]一種制備黑硅的方法在審
| 申請號： | 201410427270.0 | 申請日： | 2014-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN104332526A | 公開（公告）日： | 2015-02-04 |
| 發明（設計）人： | 劉震;楊海貴;劉海;高勁松 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備黑硅的方法，其特征在于，包括：
對基片進行表面清潔處理；
采用共蒸發法在上述基片表面沉積厚度為大于3μm的硅鋁共摻雜膜；
將鍍有硅鋁共摻雜膜的基片浸泡在堿刻蝕溶液中，采用超聲波對鍍有硅鋁共摻雜膜的基片進行處理后，用去離子水清洗并用氮氣吹干，制備得到黑硅。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述堿刻蝕溶液的濃度為50％～60％。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述堿刻蝕溶液的溫度為60℃～80℃。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將鍍有硅鋁共摻雜膜的基片浸泡在堿刻蝕溶液中進行刻蝕的時間為1.5小時～3小時。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述基片為硅片或者玻璃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
