[發明專利]紅外線檢測裝置

在審

• 申請號: 201410426064.8
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN104422528A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 宇都宮文靖
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: G01J5/14
• 分類號: G01J5/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于英慧

技術領域

本發明涉及使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置。

背景技術

圖2示出以往的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。

以往的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置具有熱電型紅外線檢測元件100、電阻107和109、恒壓電路200、輸出端子110。

熱電型紅外線檢測元件100具有熱電元件101、NMOS晶體管102和電阻103。

NMOS晶體管102的柵極上連接有熱電元件101和電阻103，漏極上經由輸出端子110和電阻109連接有恒壓電路200，源極經由電阻107與GND連接。即，熱電型紅外線檢測元件100的輸出級構成NMOS晶體管102的源極接地放大電路。

上述那樣的熱電型紅外線檢測元件100如以下那樣動作來檢測紅外線。

當紅外線被入射到熱電型紅外線檢測元件100時，電阻103將熱電元件101所產生的電荷轉換為電壓，從而NMOS晶體管102的柵極電壓上升。當柵極電壓上升時，在NMOS晶體管102中流過漏極電流，從而漏極和電阻109的連接點的電壓、即輸出端子110的電壓發生變動。由此，將NMOS晶體管102設為了源極接地放大電路，因此通過將電阻109的電阻值設為恰當的值，熱電型紅外線檢測元件100的輸出級能夠得到期望的放大率(例如參照專利文獻1)。

【專利文獻1】日本特開平5-340807號公報

上述紅外線檢測裝置的輸出級利用電阻107與電阻109的電阻值之比確定放大率。即，在增高放大率的情況下，需要相對于電阻107增大電阻109的電阻值。因此，在增高放大率時，電阻109所產生的電壓變高，因此需要增高恒壓電路200輸出的電壓。即，以往的紅外線檢測裝置存在無法進行低電壓動作的問題。

發明內容

本發明正是為了解決以上那樣的課題而研究的，提供一種放大率較高、且以低電壓進行動作的紅外線檢測裝置。

為了解決以往的問題，將熱電型紅外線檢測元件的輸出級設為在NMOS晶體管的源極與GND之間設置有并聯連接的電阻和電容的源極接地放大電路。

根據本發明的紅外線檢測裝置，將作為熱電型紅外線檢測元件的輸出級的NMOS晶體管設為通過并聯連接的電阻和電容將源極與GND連接的源極接地放大電路，因此不需要增大與NMOS晶體管的漏極連接的電阻的電阻值，所以有放大率較高、且能夠以低電壓進行動作這一效果。

附圖說明

圖1是本實施方式的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。

圖2是以往的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。

標號說明

100：熱電型紅外線檢測元件

101：熱電元件

200：恒壓電路

具體實施方式

以下，參照附圖來說明本實施方式。

圖1是本實施方式的使用了熱電型紅外線檢測元件的紅外線檢測裝置的電路圖。

本實施方式的紅外線檢測裝置具有熱電型紅外線檢測元件100、電阻107和109、電容108、輸出端子110。

熱電型紅外線檢測元件100具有熱電元件101、NMOS晶體管102、電阻103、漏極端子104、源極端子105和接地端子106。

NMOS晶體管102的柵極上連接有熱電元件101和電阻103的一個端子，漏極上連接有漏極端子104，源極上連接有源極端子105。熱電元件101和電阻103的另一個端子與接地端子106連接。漏極端子104經由輸出端子110和電阻109與VDD連接。源極端子105經由電阻107和電容108與GND連接。即，熱電型紅外線檢測元件100的輸出級構成NMOS晶體管102的源極接地放大電路。

上述那樣的紅外線檢測裝置如以下那樣動作來檢測紅外線。