[發明專利]層狀交錯電容的制備方法和層狀交錯電容

有效

• 申請號: 201410425900.0
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN104200994B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 袁潔;金魁
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司11449
• 代理人: 劉鋒,張靖琳

1.一種層狀交錯電容的制備方法，包括：

在襯底上形成第一導電層；

交替形成N個第一結構和N個第二結構，N為預定自然數；

其中，形成第一結構包括：

形成介質層，所述第一結構的介質層覆蓋所述第一導電層或相鄰的第二結構的導電層除第一端部以外的部分，所述第一結構的介質層的第二端部與下方相鄰的第二結構的介質層的第二端部連接；

形成導電層，所述第一結構的導電層覆蓋所述第一結構的介質層除第一端部以外的部分，并在第二端部與相鄰的第一結構導電層的第二端部連接；

形成第二結構包括：

形成介質層，所述第二結構的介質層覆蓋相鄰的第一結構的導電層除第二端部以外的部分，所述第二結構的介質層的第一端部與下方相鄰的第一結構的介質層的第一端部連接；

形成導電層，所述第二結構的導電層覆蓋所述第二結構的介質層除第二端部以外的部分，并與相鄰的第二結構的導電層的第一端部連接；

其中，所述介質層和導電層的第一端部位于第一側；所述介質層和導電層的第二端部位于第二側；

其中，所述第一導電層和第二結構的導電層分別基于第一掩膜圖案利用分子束外延法一次形成；

所述第一結構的介質層和所述第二結構的介質層分別基于第二掩膜圖案利用分子束外延法一次形成；

所述第一結構的導電層基于第三掩膜圖案利用分子束外延法一次形成；

所述第一掩膜圖案、第二掩膜圖案和第三掩膜圖案設置于可移動掩膜板上，所述可移動掩膜板與所述襯底相對設置。

2.根據權利要求1所述的層狀交錯電容的制備方法，其特征在于，在形成第N個第二結構后，形成第N+1個第一結構。

3.根據權利要求1所述的層狀交錯電容的制備方法，其特征在于，所述第一結構的介質層通過分子束外延法先形成除第二端部外的部分，再形成第二端部形成；

所述第一結構的導電層通過分子束外延法先形成除第二端部以外的部分，再形成第二端部形成；

所述第二結構的介質層通過分子束外延法先形成除第一端部以外的部分，再形成第一端部形成；

所述第二結構的導電層通過分子束外延法先形成除第一端部以外的部分，再形成第一端部形成。

4.根據權利要求1或3所述的層狀交錯電容的制備方法，其特征在于，所述分子束外延法為激光分子束外延法。

5.根據權利要求1或3所述的層狀交錯電容的制備方法，其特征在于，所述第一結構的介質層和所述第二結構的介質層采用各向異性介電材料，所述第一結構的介質層和第二結構的介質層在垂直于所述襯底的表面的方向上具有最大的介電常數。

6.根據權利要求5所述的層狀交錯電容的制備方法，其特征在于，所述第一導電層、第一結構的導電層和第二結構的導電層采用導電的氧化物材料形成。