[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410425762.6
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN104157578B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈思杰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 高靜,駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面為用于形成半導(dǎo)體器件的功能面；

刻蝕所述第一表面，在所述半導(dǎo)體基底中形成溝槽；

采用爐管沉積法同時在所述半導(dǎo)體基底的第一表面和第二表面形成半導(dǎo)體材料層，所述半導(dǎo)體材料層為多晶硅層；

去除所述第二表面的全部厚度的半導(dǎo)體材料層；

向所述半導(dǎo)體基底位于所述溝槽的周邊的的第一表面注入離子；

采用含碳源氣體和氧源氣體的氣體進(jìn)行退火工藝，以形成源極或是漏極；

其中，所述注入離子的步驟包括：

采用吸盤吸住所述半導(dǎo)體基底的第二表面，將所述半導(dǎo)體基底固定在反應(yīng)腔室中；

之后向所述半導(dǎo)體基底的第一表面注入離子。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，

采用爐管沉積法在所述半導(dǎo)體基底的第一表面形成半導(dǎo)體材料層的步驟中，所述半導(dǎo)體材料層填充于所述溝槽中；

在形成所述半導(dǎo)體材料層后，所述形成方法還包括：去除覆蓋在所述第一表面的半導(dǎo)體材料層，至露出所述第一表面。

3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述碳源氣體包括C₂H₂Cl₂。

4.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度大于或等于1000℃。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二表面的半導(dǎo)體材料層的步驟包括：采用刻蝕工藝或是平坦化工藝去除位于第二表面的半導(dǎo)體材料層。

6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。