[發(fā)明專利]存儲陣列的擦除方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410425720.2 | 申請日： | 2014-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN104183274B | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡劍;楊光軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華,吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 陣列 擦除 方法 | ||
1.一種存儲單元的擦除方法，所述存儲單元包括P型阱區(qū)、漏極、源極、第一控制柵極、第二控制柵極以及中間電極，其特征在于，所述存儲單元的擦除方法包括：
施加第一偏置電壓至所述P型阱區(qū)；
施加第二偏置電壓至所述漏極；
施加第三偏置電壓至所述源極；
施加-6V～-8V電壓至所述第一控制柵極；
施加-6V～-8V電壓至所述第二控制柵極；
施加8V～9V電壓至所述中間電極；
所述第一偏置電壓的電壓值為負，且所述第一偏置電壓的電壓值、所述第二偏置電壓的電壓值以及所述第三偏置電壓的電壓值相等。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲單元的擦除方法，其特征在于，所述第一偏置電壓的電壓值為-1.5V～-3V。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲單元的擦除方法，其特征在于，所述P型阱區(qū)位于半導體襯底的深N阱隔離區(qū)內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲單元的擦除方法，其特征在于，所述半導體襯底為P型襯底。
5.一種存儲陣列的擦除方法，所述存儲陣列包括M條字線、M條第一控制柵線、M條第二控制柵線、N條位線、N條源線以及M行、N列呈陣列排布的存儲單元，M、N為正整數(shù)；所述存儲單元包括P型阱區(qū)、漏極、源極、第一控制柵極、第二控制柵極以及中間電極，第m行存儲單元的中間電極均連接第m條字線，第m行存儲單元的第一控制柵極均連接第m條第一控制柵線，第m行存儲單元的第二控制柵極均連接第m條第二控制柵線，第n列存儲單元的漏極均連接第n條位線，第n列存儲單元的源極均連接第n條源線，1≤m≤M，1≤n≤N；所述存儲陣列的擦除方法包括：
施加第一偏置電壓至待擦除存儲單元的P型阱區(qū)；
施加第二偏置電壓至與所述待擦除存儲單元連接的位線；
施加第三偏置電壓至與所述待擦除存儲單元連接的源線；
施加-6V～-8V電壓至與所述待擦除存儲單元連接的第一控制柵線；
施加-6V～-8V電壓至與所述待擦除存儲單元連接的第二控制柵線；
施加8V～9V電壓至與所述待擦除存儲單元連接的字線；
施加0V電壓至未與所述待擦除存儲單元連接的位線；
施加0V電壓至未與所述待擦除存儲單元連接的源線；
施加0V電壓至未與所述待擦除存儲單元連接的第一控制柵線；
施加0V電壓至未與所述待擦除存儲單元連接的第二控制柵線；
施加0V電壓至未與所述待擦除存儲單元連接的字線；
所述第一偏置電壓的電壓值為負，且所述第一偏置電壓的電壓值、所述第二偏置電壓的電壓值以及所述第三偏置電壓的電壓值相等。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的擦除方法，其特征在于，所述第一偏置電壓的電壓值為-1.5V～-3V。
7.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的擦除方法，其特征在于，所述P型阱區(qū)位于半導體襯底的深N阱隔離區(qū)內(nèi)。
8.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的擦除方法，其特征在于，所述半導體襯底為P型襯底。
9.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的擦除方法，其特征在于，所述存儲陣列為EEPROM存儲陣列。
10.如權(quán)利要求5所述的存儲陣列的擦除方法，其特征在于，所述存儲陣列為閃存陣列。
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