[發明專利]TEM放大率校準方法及用于校準的樣品的形成方法

有效

• 申請號: 201410425713.2
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN105445293B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 蔡博修;林益世
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G01N23/04
• 分類號: G01N23/04;G01B15/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 萬鐵占;駱蘇華

1.一種TEM放大率校準方法，所述TEM具有至少一待校準放大率，其特征在于，包括：

提供樣品，所述樣品包括：襯底、位于所述襯底上的至少三層疊置的石墨烯層，所述石墨烯層厚度方向為第一方向；

在所有相互接觸的兩層石墨烯層中，下層的石墨烯層在第二方向具有伸出上層石墨烯層外的凸出部分，頂層石墨烯層和所有凸出部分在第二方向的寬度w₀相等，所述w₀大于單層石墨烯層的厚度h₀；

每一待校準放大率f₁的校準方法包括：

利用所述待校準的TEM測量樣品上兩點之間的測試寬度w₁，所述兩點所在直線平行于所述第二方向，以頂層石墨烯層沿第二方向背向凸出部分的側面為界，所述兩點位于樣品具有凸出部分一側，w₁/w₀的值m為大于1的整數；

找到樣品上所述兩點沿第一方向分別對應的最上方的兩邊界，利用所述待校準的TEM測量所述兩邊界之間的測試高度h₁；

計算得到待校準放大率f₁和測試放大率f₂的比值為：f₁/f₂＝(m*h₀)/h₁。

2.如權利要求1所述的校準方法，其特征在于，w₀的范圍為20nm～100nm。

3.如權利要求1所述的校準方法，其特征在于，所述樣品中石墨烯層的層數范圍為3～10。

4.如權利要求1所述的校準方法，其特征在于，在計算得到f₁與f₂的比值后，多次改變所測樣品上兩點的位置，每次所測兩點所在直線平行于第二方向；

對應每次所測兩點，重復所述每一待校準放大率的校準方法的步驟一次，得到待校準放大率與測試放大率的一個比值，對應多次改變樣品上兩點位置得到多個比值；

對應待校準放大率與測試放大率的一個比值，計算得到待校準放大率與測試放大率之間的一個誤差，對應多個比值得到多個誤差，對所述多個誤差進行統計分析。

5.如權利要求1所述的校準方法，其特征在于，所述襯底的材料為銅。