[發明專利]一種高可靠性斷電保護方法

在審

• 申請號: 201410425708.1
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN104199786A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 王翔平;沈勇堅;胡永剛
• 申請（專利權）人: 上海動聯信息技術股份有限公司
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16
• 代理公司: 上海天翔知識產權代理有限公司 31224
• 代理人: 劉常寶

技術領域

本發明涉及數據安全技術，具體涉及智能卡的斷電保護技術。

背景技術

斷電保護屬于智能卡行業的核心技術—智能卡斷電后的安全性和穩定性，如果得不到安全可靠的保證，往往會出現各種理論無法預知的產品事故。輕者數據的一致性無法保證，嚴重的話將會導致系統崩潰，產品報廢，其重要性不言而喻。斷電保護機制若無法保證，產品就絕對得不到認可，更不能得以發行。

芯片技術發展日新月異，且芯片制造工藝各不相同，芯片性能也良莠不齊。中國國產芯片迅速崛起成為智能卡芯片市場的重要組成部分。目前，各種類型的芯片充斥市場。中國國產芯片往往因為起步晚，發展快，芯片性能穩定性往往無法保證。由此在實際開發中，斷電保護總會遇到各種各樣的問題。很有可能在某些芯片上非常穩定的斷電保護安全機制，移植到其它芯片上往往會因為芯片本身的不穩定性而產生各種各樣的問題。

由此可見，提高智能卡芯片斷電保護機制的兼容性、容錯性以及可靠性是本領域亟需解決的問題。

發明內容

針對上述現有智能卡芯片斷電保護機制在兼容性和可靠性方面所存在的問題，本發明的目的在于提供一種高可靠性斷電保護機制，最大限度的提高程序的壯健性，芯片的兼容性，保證斷電保護的高可靠性，有效幫助開發人員避免芯片缺陷導致的不穩定性干擾，縮短開發周期。

為了達到上述目的，本發明采用如下的技術方案：

一種高可靠性斷電保護方法，所述保護方法將存放于非易失性存儲介質中的斷電恢復信息依次一次性讀入斷電保護內存緩沖區，通過斷電保護內存緩沖區做斷電數據的恢復。

在該保護方法的優選方案中，進一步的，所述方法在RAM內存區指定一頁大小的區間作為斷電保護內存緩沖區。

再進一步的，所述方法中從非易失性存儲介質中的斷電保護區首地址依次讀取一整頁的數據存入斷電保護內存緩沖區。

進一步的，所述方法在斷電保護內存緩沖區中采用ALVC格式的斷電數據恢復項，其中A為斷電數據恢復項中待恢復數據的首地址；L為斷電數據恢復項中待恢復數據V的長度；V為斷電數據恢復項中待恢復數據；C為斷電數據恢復項中待恢復數據的CRC校驗值。

再進一步的，所述方法進行斷電保護的過程如下：

(1)讀取非易失性存儲介質中的斷電保護區，把非易失性存儲介質中的斷電保護區的內容依次一次性讀入到斷電保護內存緩沖區，在斷電保護內存緩沖區建立相應的ALVC格式的斷電數據恢復項；

(2)當發生斷電后，首先判斷非易失性存儲介質中的斷電保護區是否有恢復數據，若有則轉入步驟(3)進行數據恢復；若沒有，則不進行數據恢復；

(3)根據斷電保護內存緩沖區中的ALVC格式的斷電數據恢復項進行CRC校驗，若一致，則恢復相關數據；若不一致，不進行恢復。

再進一步的，恢復數據時，根據斷電保護內存緩沖區建立的ALVC格式的斷電數據恢復項，將非易失性存儲介質中斷電保護區中從ALVC格式的斷電數據恢復項中A項指定的地址開始，L項指定長度的數據，替換成V項提供的新數據。

本發明通過斷電保護內存緩沖區做數據恢復，杜絕斷電后非易失性存儲介質中的數據不穩定性對系統的不可控影響。

同時，每一個斷電數據恢復項都有自身的校驗，保證斷電數據恢復項有效性。

本方案在具體應用時，能夠最大限度的提高程序的壯健性，芯片的兼容性，保證斷電保護的高可靠性，有效幫助開發人員避免芯片缺陷導致的不穩定性干擾，縮短開發周期。

附圖說明

以下結合附圖和具體實施方式來進一步說明本發明。

圖1為ALVC格式的斷電數據恢復項的結構示意圖；

圖2為添加首個斷電數據恢復項示意圖；

圖3為添加第2個斷電數據恢復項示意圖；

圖4為斷電保護內存緩沖區中的斷電數據恢復項示意圖；

圖5為本發明對比實例1中沒有斷電保護內存緩沖區的芯片進行斷電數據恢復的示意圖；

圖6為本發明對比實例2中需要處理的數據項示意圖；

圖7為本發明對比實例2中在斷電保護內存緩沖區建立ALVC格式的斷電數據恢復項示意圖。

具體實施方式

為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本發明。

CPU卡性能的主要因素是對非易失性存儲介質的擦寫操作。在擦寫的過程中，時刻有斷電的可能性。由于芯片的性能不同，擦寫過程中斷電后的非易失性存儲介質性能表現也各不相同，存在數據不穩定的芯片，造成每次讀取的數據不同。