[發明專利]一種用于功率晶體管的內匹配結構在審
| 申請號： | 201410425387.5 | 申請日： | 2014-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN104218029A | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 曾大杰;尹利娟;張耀輝 | 申請（專利權）人： | 昆山華太電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/66 | 分類號： | H01L23/66;H01L23/64 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215300 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 功率 晶體管 匹配 結構 | ||
【權利要求書】：
1.?一種用于功率晶體管的內匹配結構，包括管芯、連接管芯與輸入端或者輸出端的匹配電容，其特征在于，所述匹配電容包括一個主電容和至少一個電容值接近于0的次電容，鍵合線從管芯打到次電容，次電容間以及次電容與主電容間通過鍵合線連接。
2.根據權利要求1所述的用于功率晶體管的內匹配結構，其特征在于，所述次電容的電容值小于10pF。
3.根據權利要求1或2所述的用于功率晶體管的內匹配結構，其特征在于，與主電容布置位置相比，所述次電容布置位置更靠近輸入或者輸出引腳。
4.根據權利要求1所述的用于功率晶體管的內匹配結構，其特征在于，所述輸入端或者輸出端與主電容連接。
5.根據權利要求1所述的用于功率晶體管的內匹配結構，其特征在于，所述輸入端或者輸出端與管芯連接。
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