[發明專利]去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法在審
| 申請號: | 201410425320.1 | 申請日: | 2014-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN104241118A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 國天增;賀賢漢 | 申請(專利權)人: | 富樂德科技發展(天津)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/311 | 分類號: | H01L21/311 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責任公司 31203 | 代理人: | 沈履君 |
| 地址: | 301712 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去除 附著 金屬 零件 表面 硅化物 薄膜 清洗 方法 | ||
1.去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1,使用堿性溶液對零件進行浸泡;
S2,使用酸性溶液對零件進行清洗;
S3,使用清洗液對零件進行清洗;
S4,對零件進行干燥。
2.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S1之前還包括一預處理步驟S0;其中
所述步驟S0包括:
S0.1,使用超純水對零件進行沖洗;和/或
S0.2,使用N2或干凈的壓縮空氣吹干零件。
3.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S1包括還一步驟S1.1,所述步驟S1.1為對零件使用超純水進行漂洗處理。
4.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S2包括還一步驟S2.1,所述步驟S2.1為對零件使用超純水進行溢流處理。
5.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述堿性溶液的配比為體積比NH4OH:H2O2:H2O=1:3:4。
6.根據權利要求1或5所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述堿性溶液的溫度為40℃~60℃。
7.根據權利要求6所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S1中,零件在所述堿性溶液中浸泡的時間為1小時~2小時。
8.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述酸性溶液的配比為體積比HNO3:HF:H2O=1:1:2。
9.根據權利要求1或8所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S2中,零件在所述酸性溶液中清洗的時間為3秒~5秒。
10.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S3中,所述清潔液為18兆歐的去離子水。
11.根據權利要求10所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述清潔液的溫度為50℃。
12.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S3中,利用超聲波對零件進行清洗。
13.根據權利要求12所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述超聲波的頻率為40KHz。
14.根據權利要求13所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述超聲波的能量密度為25瓦/加侖~35瓦/加侖。
15.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S3中,零件清洗的時間為30分鐘~60分鐘。
16.根據權利要求1所述的去除附著于金屬零件表面硅化物薄膜的清洗方法,其特征在于,所述步驟S4中,是將零件置于高溫烘箱中,在150℃的環境下烘烤1.5小時~2小時,然后降到50℃~60℃,取出零件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于富樂德科技發展(天津)有限公司,未經富樂德科技發展(天津)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410425320.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種防斷裂的鞋底
- 下一篇:多用途慣性發電鞋、發電裝置及風力發電機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





