[發(fā)明專(zhuān)利]爐管制作工藝的派工控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410423861.0
• 申請(qǐng)日: 2014-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105321030B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊達(dá);蕭世宗;陳建中
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06Q10/06
• 分類(lèi)號(hào): G06Q10/06;H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種爐管制作工藝的派工控制方法，包括：

在多批晶片進(jìn)入一爐管之前，算出各批晶片的一特性變異值；

將該多批晶片依照該些特性變異值的大小進(jìn)行排序；以及

將該多批晶片依照該些特性變異值由大到小的順序?qū)?yīng)于該爐管中造成該特性變異值變小到變大的多個(gè)位置擺放在該爐管中，

其中該些特性變異值是由該特性變異值的函數(shù)所算出，該特性變異值的函數(shù)相關(guān)于柵極長(zhǎng)度與用于形成源極與漏極時(shí)的殘留氧化硅的厚度中的至少一者。

2.如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，還包括在該多批晶片進(jìn)入該爐管之前，定義與產(chǎn)品相關(guān)的一特性參數(shù)值。

3.如權(quán)利要求2所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中該特性參數(shù)值包括臨界電壓、飽和電流或電阻值。

4.如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，還包括對(duì)排序后的該多批晶片進(jìn)行挑選。

5.如權(quán)利要求4所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中對(duì)該多批晶片進(jìn)行挑選的方法包括對(duì)排序后的該多批晶片按照平均批數(shù)間隔進(jìn)行挑選。

6.如權(quán)利要求4所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中對(duì)該多批晶片進(jìn)行挑選的方法包括將排序后的該多批晶片依序編上批號(hào)，且對(duì)按照下列方程式計(jì)算出的值進(jìn)行四舍五入來(lái)挑選批號(hào)：

其中，N為0以上的整數(shù)，且N的最大值為一批次的最大批數(shù)減1。

7.如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中由先進(jìn)制作工藝控制系統(tǒng)計(jì)算出該多批晶片的該些特性變異值。

8.如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中由派工系統(tǒng)決定一批次內(nèi)的該多批晶片在該爐管中的擺放位置。

9.如權(quán)利要求1所述的爐管制作工藝的派工控制方法，其中由制造執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行該多批晶片的派工。