[發明專利]一種低衰耗單模光纖

有效

• 申請號: 201410423830.5
• 申請日: 2014-08-26
• 公開（公告）號: CN104155717B
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 王瑞春;傅琰;夏先輝
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司42102
• 代理人: 胡建平

1.一種低衰耗單模光纖，包括有纖芯層、下陷包層和外包層，其特征在于纖芯層由折射率由高到低的三個芯層組成，第一芯層直徑2R1為5μm~6.5μm，相對折射率差Δn1為 0.25%~0.4%，第二芯層直徑2R2為8μm~10μm，相對折射率差Δn2為 0.15%~0.25%，第三芯層直徑2R3為10.5μm ~13μm，相對折射率差Δn3為 0.01%~0.15%，芯層外包覆下陷包層，所述的下陷包層直徑2R4為13μm ~16μm，相對折射率差Δn4為 -0.15%~0%，最外層是外包層，外包層為純二氧化硅石英玻璃層。

2.按權利要求1所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述的三個芯層的相對折射率差為Δn1>Δn2>Δn3。

3.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述的下陷包層的相對折射率差Δn4為 -0.10%~-0.03%。

4.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述的纖芯層由氟(F)和鍺(Ge)共摻的石英玻璃組成。

5.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述的下陷包層由氟(F)和鍺(Ge)共摻的石英玻璃組成。

6.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述的外包層為 OVD、VAD 或 APVD 制備的純二氧化硅石英玻璃層。

7.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述光纖在 1310nm 波長處的衰減系數小于 0.325dB/km，在 1383nm 波長處的衰減系數小于 0.325dB/km，在 1550nm 波長處的衰減系數小于 0.185dB/km，在 1625nm 波長處的衰減系數小于 0.205dB/km。

8.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述光纖在 1310nm 波長的模場直徑為 8.7μm~9.5μm。

9.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述光纖的光纜截止波長小于或等于1260nm。

10.按權利要求1或2所述的低衰耗單模光纖，其特征在于所述光纖的零色散波長為 1300~1324nm，光纖在零色散波長處的色散斜率小于或等于 0.091ps/nm2*km。