[發(fā)明專利]一種楔形硅結(jié)構(gòu)陣列的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410421996.3
• 申請(qǐng)日: 2014-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN105366631B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞驍;曾春紅;張寶順
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種楔形硅結(jié)構(gòu)陣列的制作方法，其特征在于，包括步驟：

A)在襯底上鍵合形成預(yù)定厚度的硅層；

B)在所述預(yù)定厚度的硅層上形成多個(gè)掩膜條；

C)將所述硅層的未被所述掩膜條覆蓋的部分去除；

D)將所述掩膜條去除，以將所述硅層的被所述掩膜條覆蓋的部分暴露；

E)在步驟D)中暴露的所述硅層的側(cè)斜壁上涂布多個(gè)光刻膠；

F)將步驟E)中未被所述光刻膠覆蓋的硅層去除；

G)將步驟E)中涂布的所述光刻膠去除，從而形成陣列排布的楔形硅結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述傾斜壁與所述襯底的表面的夾角為50°至60°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述襯底的材料為玻璃，其中，所述步驟A)的具體方法包括：

將由玻璃形成的襯底與硅片進(jìn)行陽(yáng)極鍵合；

將所述硅片減薄，以形成所述預(yù)定厚度的硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述預(yù)定厚度等于所述楔形硅結(jié)構(gòu)的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述硅片為雙面拋光的硅片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步驟B)中，所述多個(gè)掩膜條等間距排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制作方法，其特征在于，所述步驟B)的具體方法包括：

在所述預(yù)定厚度的硅層上形成掩膜層；

在所述掩膜層上等間距涂布光刻膠；

將所述掩膜層的未被光刻膠覆蓋的部分去除；

將涂布的光刻膠去除，從而形成等間距排列的所述多個(gè)掩膜條。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多個(gè)掩膜條之間的間距不小于所述楔形硅結(jié)構(gòu)的高度的1.15倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步驟E)中，所述多個(gè)光刻膠等間距排列。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硅層的被所述掩膜條覆蓋的部分的截面形狀為梯形形狀。