[發明專利]靜電卡盤裝置及晶片或托盤的固定方法有效
| 申請號: | 201410421884.8 | 申請日: | 2014-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN105374727B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 李玉站 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電吸附電極 靜電卡盤裝置 托盤 晶片 絕緣本體 供電電源 卡盤本體 直流電壓輸出端 電介質晶片 固定晶片 極性相反 可靠固定 直流電壓 電絕緣 電連接 高絕緣 加載 跳片 保證 | ||
1.一種靜電卡盤裝置,包括絕緣本體、卡盤本體與供電電源,所述絕緣本體設置在所述卡盤本體上,其特征在于,還包括至少兩個第一靜電吸附電極和至少兩個第二靜電吸附電極;
所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極埋設在所述絕緣本體的內部;
所述供電電源的直流電壓輸出端分別與所述第一靜電吸附電極和所述第二靜電吸附電極電連接;所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極上加載的直流電壓的極性相反,所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極交替相鄰設置,所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極之間相互絕緣;
所述靜電卡盤裝置還包括用于控制所述供電電源運行的控制模塊;所述控制模塊包括計時器和電源控制器;
所述電源控制器通過所述供電電源的控制端口控制所述供電電源按照預設指令運行;
所述預設指令包括當所述計時器的到達預設時間時,所述電源控制器將所述供電電源的輸出電壓的極性反轉,并將所述計時器的計時清零;
所述靜電卡盤裝置能夠防止等離子啟輝造成的晶片跳片。
2.根據權利要求1所述的靜電卡盤裝置,其特征在于,所述第一靜電吸附電極和所述第二靜電吸附電極之間存在有預設距離。
3.根據權利要求1所述的靜電卡盤裝置,其特征在于,所述供電電源為直流高壓電源。
4.一種晶片或托盤的固定方法,其特征在于,包括如下步驟:
在靜電卡盤裝置的絕緣本體內埋設至少兩個第一靜電吸附電極與至少兩個第二靜電吸附電極,所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極上加載的直流電壓的極性相反、交替相鄰并彼此電絕緣;
將晶片或托盤放置在所述靜電卡盤裝置的絕緣本體上;
開啟供電電源,使相鄰的所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極之間的區域內產生強電場將所述晶片或托盤極化,產生第一極化電荷和第二極化電荷將所述晶片或托盤吸附在所述靜電卡盤裝置上;
在所述開啟供電電源上的步驟之后還包括如下步驟:
電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓的極性;當計時器到達預設時間時,所述電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓極性反轉,并將所述計時器的計時清零;
所述方法能夠防止等離子啟輝造成的晶片跳片。
5.根據權利要求4所述的晶片或托盤的固定方法,其特征在于,電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓極性;當計時器到達預設時間時,所述電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓極性反轉,并將所述計時器的計時清零,包括如下步驟:
所述計時器設置記時參數T;
所述計時器的記時參數T達到設定值T0,所述供電電源的輸出電壓極性反轉,同時,所述計時器清零并重新開始計數;重復該步驟,直至工藝流程結束,所述電源控制器關閉所述供電電源的輸出電壓。
6.根據權利要求5所述的晶片或托盤的固定方法,其特征在于,所述T0是通過以下方法設定的:
將背吹氣體的泄漏率的上限值設為a;測量當背吹氣體的泄漏率等于其上限值a時的供電電源的開啟時間t,則設定T0≤t。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司,未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410421884.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





