[發(fā)明專利]靜電卡盤裝置及晶片或托盤的固定方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410421884.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105374727B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李玉站 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電吸附電極 靜電卡盤裝置 托盤 晶片 絕緣本體 供電電源 卡盤本體 直流電壓輸出端 電介質(zhì)晶片 固定晶片 極性相反 可靠固定 直流電壓 電絕緣 電連接 高絕緣 加載 跳片 保證 | ||
1.一種靜電卡盤裝置,包括絕緣本體、卡盤本體與供電電源,所述絕緣本體設(shè)置在所述卡盤本體上,其特征在于,還包括至少兩個(gè)第一靜電吸附電極和至少兩個(gè)第二靜電吸附電極;
所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極埋設(shè)在所述絕緣本體的內(nèi)部;
所述供電電源的直流電壓輸出端分別與所述第一靜電吸附電極和所述第二靜電吸附電極電連接;所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極上加載的直流電壓的極性相反,所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極交替相鄰設(shè)置,所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極之間相互絕緣;
所述靜電卡盤裝置還包括用于控制所述供電電源運(yùn)行的控制模塊;所述控制模塊包括計(jì)時(shí)器和電源控制器;
所述電源控制器通過所述供電電源的控制端口控制所述供電電源按照預(yù)設(shè)指令運(yùn)行;
所述預(yù)設(shè)指令包括當(dāng)所述計(jì)時(shí)器的到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí),所述電源控制器將所述供電電源的輸出電壓的極性反轉(zhuǎn),并將所述計(jì)時(shí)器的計(jì)時(shí)清零;
所述靜電卡盤裝置能夠防止等離子啟輝造成的晶片跳片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤裝置,其特征在于,所述第一靜電吸附電極和所述第二靜電吸附電極之間存在有預(yù)設(shè)距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤裝置,其特征在于,所述供電電源為直流高壓電源。
4.一種晶片或托盤的固定方法,其特征在于,包括如下步驟:
在靜電卡盤裝置的絕緣本體內(nèi)埋設(shè)至少兩個(gè)第一靜電吸附電極與至少兩個(gè)第二靜電吸附電極,所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極上加載的直流電壓的極性相反、交替相鄰并彼此電絕緣;
將晶片或托盤放置在所述靜電卡盤裝置的絕緣本體上;
開啟供電電源,使相鄰的所述第一靜電吸附電極與所述第二靜電吸附電極之間的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)將所述晶片或托盤極化,產(chǎn)生第一極化電荷和第二極化電荷將所述晶片或托盤吸附在所述靜電卡盤裝置上;
在所述開啟供電電源上的步驟之后還包括如下步驟:
電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓的極性;當(dāng)計(jì)時(shí)器到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí),所述電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓極性反轉(zhuǎn),并將所述計(jì)時(shí)器的計(jì)時(shí)清零;
所述方法能夠防止等離子啟輝造成的晶片跳片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片或托盤的固定方法,其特征在于,電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓極性;當(dāng)計(jì)時(shí)器到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí),所述電源控制器控制所述供電電源的輸出電壓極性反轉(zhuǎn),并將所述計(jì)時(shí)器的計(jì)時(shí)清零,包括如下步驟:
所述計(jì)時(shí)器設(shè)置記時(shí)參數(shù)T;
所述計(jì)時(shí)器的記時(shí)參數(shù)T達(dá)到設(shè)定值T0,所述供電電源的輸出電壓極性反轉(zhuǎn),同時(shí),所述計(jì)時(shí)器清零并重新開始計(jì)數(shù);重復(fù)該步驟,直至工藝流程結(jié)束,所述電源控制器關(guān)閉所述供電電源的輸出電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片或托盤的固定方法,其特征在于,所述T0是通過以下方法設(shè)定的:
將背吹氣體的泄漏率的上限值設(shè)為a;測(cè)量當(dāng)背吹氣體的泄漏率等于其上限值a時(shí)的供電電源的開啟時(shí)間t,則設(shè)定T0≤t。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





