[發明專利]MCSP功率半導體器件及制備方法

在審

• 申請號: 201410421700.8
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN105374773A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 牛志強;魯軍;哈姆扎·耶爾馬茲;高洪濤
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種制備功率半導體器件的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供正面帶有一塑封層的晶圓；

在晶圓背面或者一金屬箔層的一面設置一導電粘合層；

層壓所述金屬箔層至晶圓背面并利用所述導電粘合層進行壓合黏接；

粘貼一復合膠帶至所述金屬箔層上；

切割相鄰芯片之間的疊層，所述疊層包括塑封層、晶圓、導電粘合層、金屬箔層和復 合膠帶，形成多顆獨立的功率半導體器件。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，切割所述疊層之前，先在所述復合膠帶 上印制形成標識符號。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在層壓金屬箔層的步驟中，同步對晶圓 加熱并同時對金屬箔層施加以壓力；或者

在完成復合膠帶的粘貼步驟之后，對晶圓加熱并同時對復合膠帶及金屬箔層施加以壓 力，以便緊密壓合金屬箔層至晶圓背面。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，層壓金屬箔層之前，先在金屬箔層的一 面鍍上貴金屬涂層，然后以其帶有貴金屬涂層的一面層壓至晶圓背面。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

形成塑封層之前，先在每個芯片正面的襯墊上相應安置金屬凸塊；

然后以一塑封層塑封在晶圓正面并將每個金屬凸塊都包覆在內；

再研磨減薄塑封層直至金屬凸塊的頂端被部分研磨而外露，籍此形成每個金屬凸塊平 坦化的頂端面，并從塑封層的頂面中予以外露。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在晶圓背面設置導電粘合層之前，先將 一虛設晶圓與所述晶圓進行鍵合，且鍵合在塑封層的頂面，在完成復合膠帶的粘貼步驟之 后再將虛設晶圓予以剝離。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

形成塑封層之前，先在每個芯片正面的襯墊上相應安置金屬凸塊；

然后以塑封層塑封在晶圓正面并將每個金屬凸塊都包覆在內；

完成復合膠帶的粘貼步驟之后但在切割所述疊層之前，研磨減薄塑封層直至金屬凸塊 的頂端被部分研磨而外露，籍此形成每個金屬凸塊平坦化的頂端面，并從塑封層的頂面中 予以外露。

8.一種功率半導體器件，其特征在于，包括；

一芯片；

一覆蓋在芯片正面的頂部塑封層，其中芯片正面的襯墊上設置有金屬凸塊，并且所述 頂部塑封層圍繞在金屬凸塊側壁周圍，每個金屬凸塊平坦化的頂端面皆從頂部塑封層的頂 面中外露；

一層壓在芯片背面的底部金屬箔層，并利用導電粘合層將底部金屬箔層壓合黏接在芯 片背面；

一粘貼于所述底部金屬箔層上的底部復合膠帶層。

9.如權利要求8所述的功率半導體器件，其特征在于，所述芯片集成有一對共漏極 金屬氧化物半導體場效應管，所述底部金屬箔層構成該一對共漏極金屬氧化物半導體場效 應管的公共漏極電極，以及功率半導體器件具有分別接觸該一對共漏極金屬氧化物半導體 場效應管各自的柵極襯墊、源極襯墊的多個金屬凸塊。

10.如權利要求8所述的功率半導體器件，其特征在于，底部金屬箔層壓合在芯片 背面的一面鍍有貴金屬涂層。