[發(fā)明專利]一種電流源校準(zhǔn)電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410421448.0
• 申請(qǐng)日: 2014-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN104181473A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林劍輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)沙瑞達(dá)星微電子有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/40
• 分類號(hào): G01R31/40
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種電流源校準(zhǔn)電路，其特征在于，包括由運(yùn)算放大器amp1、三極管Q1、Q2和電阻R1、R2、R3、R4、R5組成的電流源電路以及由三極管Q10、NMOS管M0、M1、M2、M3、M4、M5，開關(guān)S1、S2、S3、S4、S5和電阻R10、R11組成的校準(zhǔn)電路；

其中，運(yùn)算放大器amp1的正輸入端通過電阻R1接入GND的同時(shí)，接三極管Q1的集電極，運(yùn)算放大器amp1的負(fù)輸入端接基準(zhǔn)電壓VREF，運(yùn)算放大器amp1輸出端接三極管Q1、Q2、Q10的基極；三極管Q1發(fā)射極接電阻R2的一端；電阻R2的另一端接電阻R3；電阻R3的另一端接電源VDD；三極管Q2集電極接電流源模塊輸出端I1，發(fā)射極接電阻R4的一端；電阻R4的另一端接電阻R5的一端同時(shí)接開關(guān)S1~S5的共有端；電阻R5的另一端接電源VDD；NMOS管M0的源極接地，柵極與漏極相接同時(shí)接三極管Q10的集電極和NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的柵極；三極管Q10基極接運(yùn)算放大器amp1的輸出端，發(fā)射極接電阻R10的一端；電阻R10的另一端與電阻R11相接；電阻R11的另一端接電源VDD；NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的源極都接地，漏極分別接到開關(guān)S1、S2、S3、S4、S5的一端；開關(guān)S1、S2、S3、S4、S5的另一端互相連接且接入R4和R5的相接端。

2.如權(quán)利要求1所述的電流源校準(zhǔn)電路，其特征在于，所述運(yùn)算放大器amp1為一級(jí)運(yùn)算放大器；其中，PMOS管M10的源極接電源VDD，柵極和漏極相接，并接到PMOS管M11的柵極和NMOS管M12的漏極；PMOS管M11的源極接電源VDD，漏極接運(yùn)算放大器amp1的輸出VOUT；NMOS管M12的柵極接運(yùn)算放大器amp1的正輸入端INP，源極接NMOS管M13的源極以及電阻R10的一端；電阻R10的另一端接地；NMOS管M13的柵極接運(yùn)算放大器amp1的負(fù)輸入端INN，漏極接運(yùn)算放大器amp1的輸出端VOUT。

3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電流源校準(zhǔn)電路，其特征在于，所述NMOS管M1、M2、M3、M4、M5的寬長(zhǎng)比W/L的比例為1:2:4:8:16，NMOS管M0的寬長(zhǎng)比W/L則沒有限制。

4.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電流源校準(zhǔn)電路，其特征在于，所述開關(guān)S1、S2、S3、S4、S5為金屬熔絲或者柵極受外部輸入控制的MOS管。