[發(fā)明專(zhuān)利]一種混合式保護(hù)開(kāi)關(guān)及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410421401.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-08-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104158157B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙湛;毛光普 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 江蘇中科國(guó)騰科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02H7/18 | 分類(lèi)號(hào): | H02H7/18 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11340 | 代理人: | 謝磊 |
| 地址: | 214131 江蘇省無(wú)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 混合式 保護(hù) 開(kāi)關(guān) 及其 制備 方法 | ||
1.一種混合式保護(hù)開(kāi)關(guān),其特征在于,所述保護(hù)開(kāi)關(guān)包括:
具有雙金屬懸板(11)的第一保護(hù)開(kāi)關(guān),所述雙金屬懸板(11)具有固定的固定端和懸空的自由端,并具有熱膨脹系數(shù)不同的支撐懸板(110)和緊貼在所述支撐懸板(110)上的金屬懸板(111),所述金屬懸板(111)形成所述保護(hù)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通支路;
具有PTC元件(7)的第二保護(hù)開(kāi)關(guān),該P(yáng)TC元件(7)形成所述保護(hù)開(kāi)關(guān)的阻抗支路;其中,所述第一保護(hù)開(kāi)關(guān)與所述第二保護(hù)開(kāi)關(guān)并聯(lián)連接;
所述第一保護(hù)開(kāi)關(guān)與所述第二保護(hù)開(kāi)關(guān)并聯(lián)結(jié)構(gòu)包括:所述PTC元件(7)的頂面通過(guò)第三電極(6)連接到所述金屬懸板(111)的中間部,所述PTC元件(7)的底面和一側(cè)面通過(guò)第二電極(10)連接到保護(hù)開(kāi)關(guān)的一電氣端子;
所述金屬懸板(111)的自由端可斷開(kāi)的電連接到所述保護(hù)開(kāi)關(guān)的電氣端子,其固定端電連接到所述保護(hù)開(kāi)關(guān)的另一電氣端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)開(kāi)關(guān),其特征在于,所述第一保護(hù)開(kāi)關(guān)還包括:
第一硅片(2),中間設(shè)置有凹槽,所述雙金屬懸板(11)的固定端固定在所述凹槽一側(cè)內(nèi)壁并向內(nèi)延伸;
第一連通柱(14),貫穿于所述第一硅片(2)的一端,其一端部伸出所述第一硅片(2)并電連接于第二保護(hù)開(kāi)關(guān);
第一焊點(diǎn)(1),設(shè)置在所述第一連通柱(14)的另一端部;
第二連通柱(13),貫穿于所述第一硅片(2)的另一端,其一端部伸出所述第一硅片(2)并電連接于第二保護(hù)開(kāi)關(guān);
第二焊點(diǎn)(12),設(shè)置在所述第二連通柱(13)的另一端部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)開(kāi)關(guān),其特征在于,所述第二保護(hù)開(kāi)關(guān)包括:
第二硅片(9),中間設(shè)置有凹槽;
第二電極(10),連續(xù)的分布在所述第二硅片(9)的凹槽底部及其一內(nèi)側(cè)面、以及第二硅片(9)一側(cè)的表面;
第二觸點(diǎn)(8),設(shè)置于所述第二電極(10)上,所述第二電極(10)通過(guò)所述第二觸點(diǎn)(8)可斷開(kāi)的與第一保護(hù)開(kāi)關(guān)的金屬懸板(111)的自由端接觸;
PTC元件(7),設(shè)置在所述第二硅片(9)的凹槽內(nèi),其底面和一側(cè)面與所述第二電極(10)接觸;
第一電極(4),分布在所述第二硅片(9)的凹槽另一側(cè)表面且不與PTC元件(7)接觸;
第一觸點(diǎn)(5),設(shè)置于所述第一電極(4)上,所述第一電極(4)通過(guò)該第一觸點(diǎn)(5)與第一保護(hù)開(kāi)關(guān)的金屬懸板(111)的固定端接觸;
第三電極(6),設(shè)置在所述PTC元件(7)的頂面和雙金屬懸板(11)的中間部之間并與二者接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)開(kāi)關(guān),其特征在于,所述雙金屬懸板(11)的支撐懸板(110)形成為第一硅片(2)的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的保護(hù)開(kāi)關(guān),其特征在于,所述第三電極(6)的面積設(shè)置等于或略小于所述PTC元件(7)的頂面面積。
6.一種混合式保護(hù)開(kāi)關(guān)的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
步驟S1,制備具有雙金屬懸板的第一保護(hù)開(kāi)關(guān);
步驟S2,制備具有PTC元件的第二保護(hù)開(kāi)關(guān);
步驟S3,將第一保護(hù)開(kāi)關(guān)和第二保護(hù)開(kāi)關(guān)以并聯(lián)方式封裝;
其中,所述雙金屬懸板構(gòu)成并聯(lián)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通支路,所述PTC元件構(gòu)成并聯(lián)結(jié)構(gòu)的阻抗支路;
所述步驟S1進(jìn)一步包括:
步驟a,形成第一保護(hù)開(kāi)關(guān)的基片;
步驟b,在基片上形成雙金屬懸板;
步驟c,在雙金屬懸板下方形成凹槽;和
步驟d,在基片上雙金屬懸板的兩側(cè)形成連通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S2進(jìn)一步包括:
步驟e,形成第二保護(hù)開(kāi)關(guān)的基片;
步驟f,在基片上形成凹槽;
步驟g,在基片表面形成PTC元件的下電極;
步驟h,在凹槽中形成PTC元件;
步驟i,形成PTC元件的上電極及觸點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S3進(jìn)一步包括:
步驟j,在所述第二保護(hù)開(kāi)關(guān)的四周涂覆封框膠;
步驟k,粘接第一保護(hù)開(kāi)關(guān)和第二保護(hù)開(kāi)關(guān);
步驟l,在第一保護(hù)開(kāi)關(guān)的連通孔中形成連通柱和焊點(diǎn)。
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