[發明專利]存儲器和包括存儲器的存儲系統

有效

• 申請號: 201410419619.6
• 申請日: 2014-08-22
• 公開（公告）號: CN104733034B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 鄭喆文;金保延;金生煥
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

一種存儲器可以包括：多個字線；一個或更多個冗余字線，其用于替換所述多個字線之中的一個或更多個字線；目標地址發生單元，其適于利用儲存的地址來產生一個或更多個目標地址；以及控制單元，其適于響應于周期性輸入的刷新命令而順序地刷新所述多個字線、當刷新命令被輸入M次時刷新基于目標地址而選中的字線、以及每當刷新命令被輸入N次時刷新所述一個或更多個冗余字線，其中，M和N是自然數。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年12月18日提交的申請號為10-2013-0158327的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及存儲器和包括存儲器的存儲系統。

背景技術

存儲器的存儲器單元包括用作開關的晶體管以及用于儲存電荷(數據)的電容器。根據存儲器單元的電容器中是否儲存有電荷，即，電容器的端子電壓是高還是低，數據可以分為邏輯高(邏輯1)數據和邏輯低(邏輯0)數據。

數據是以在電容器中累積電荷的方式來儲存的。因而，理論上，在保持儲存的數據時不消耗電能。然而，由于在MOS晶體管的PN結處發生電流泄露，所以可能丟失儲存在電容器中的初始電荷，導致相應的數據丟失。為了防止數據丟失，在數據丟失之前，讀取存儲器單元的數據且基于讀取的信息再次儲存電荷。周期性地執行這個被稱作為刷新操作的過程來保持數據。

圖1是說明將要用于解釋字線干擾的、存儲器中包括的單元陣列的一部分的圖。在圖1中，“BL”代表位線。

在圖1中，單元陣列中的“WLK-1”、“WLK”和“WLK+1”代表平行布置的三個字線。此外，具有“HIGH_ACT”的字線WLK代表具有高激活的字線，而字線WLK-1和WLK+1代表與字線WLK相鄰地布置的字線。此外，“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”代表分別與字線WLK-1、WLK和WLK+1耦接的存儲器單元。存儲器單元“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”分別包括單元晶體管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及單元電容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。

在圖1中，當將字線WLK激活以及預充電(去激活)時，字線WLK-1和WLK+1的電壓因為字線WLK與字線WLK-1、WLK+1之間的耦合效應而增加和減少，從而影響儲存在單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷。因而，當將字線WLK頻繁地激活-預充電以在激活狀態和預充電狀態之間觸發時，儲存在存儲器單元CELL_K-1和CELL_K+1中的數據可能因為儲存在電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷上的變化而丟失。

此外，字線在激活狀態和預充電狀態之間觸發時產生的電子波可以將電子引入與相鄰字線耦接的存儲器單元所包括的單元電容器中，或將電子從與相鄰字線耦接的存儲器單元所包括的單元電容器放電，由此潛在地丟失存儲器單元的數據。

發明內容

本發明的各種實施例針對一種能夠刷新與高激活字線相鄰的字線、從而防止儲存在與相鄰的字線耦接的存儲器單元中的數據丟失的存儲器和存儲系統。

另外，本發明的各種實施例針對一種能夠防止儲存在與冗余字線耦接的存儲器單元中的數據丟失的存儲器和存儲系統。

在一個實施例中，一種存儲器可以包括：多個字線；一個或更多個冗余字線，其適于替換所述多個字線之中的一個或更多個字線；目標地址發生單元，其適于利用儲存的地址來產生一個或更多個目標地址；以及控制單元，其適于響應于周期性輸入的刷新命令而順序地刷新所述多個字線、當刷新命令被輸入M次時刷新基于目標地址而選中的字線、以及每當刷新命令被輸入N次時刷新一個或更多個冗余字線，其中，M和N是自然數。

存儲器還可以包括地址檢測單元，其適于檢測所述多個字線之中的被激活設定次數或更多次數的字線的地址、或以設定頻率或更高頻率而被激活的字線的地址。