[發明專利]斬波放大器的裝置和方法有效
| 申請號: | 201410418603.3 | 申請日: | 2014-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN104426493B | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發明(設計)人: | 周捷;A·J·卡爾布;M·D·萊西格 | 申請(專利權)人: | 美國亞德諾半導體公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 申發振 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 放大器 裝置 方法 | ||
1.一種用于斬波放大器的裝置,包括:
可編程存儲器,被配置成產生第一控制信號;和
斬波放大器,被配置為放大差分輸入電壓信號以產生輸出信號,其中所述斬波放大器包括:
第一差分晶體管池,包括選擇電路和多個晶體管,其中所述選擇電路被配置為基于所述第一控制信號而選擇多個晶體管的第一部分以用于在第一晶體管組中操作,并且其中所述選擇電路進一步被配置為基于所述第一控制信號而選擇多個晶體管的第二部分以用于在第二晶體管組中操作,其中所述第一控制信號的所選狀態對應于與第一控制信號的至少第二狀態相比較,在第一和第二晶體管組中具有較小輸入偏置的多個晶體管的特定晶體管配置,
其中所述斬波放大器的輸入偏置電壓基于對晶體管在所述第一和第二晶體管組中的選擇有所變化。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,不存在制造偏差,所述多個晶體管中的每一個的驅動強度或幾何形狀中的至少一個實質上相同。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中選擇電路被配置為在所述第一和第二晶體管組中選擇相同數目的晶體管。
4.根據權利要求1所述的裝置,還包括:
輸入斬波電路,包括第一輸入端、第二輸入端、時鐘輸入端、第一輸出端和第二輸出端,其中,所述輸入斬波電路被配置成接收第一和第二輸入端之間的差分輸入電壓信號,并基于在時鐘輸入端接收的斬波時鐘信號斬切差分輸入電壓信號,
其中所述差分晶體管池還包括:電連接到所述輸入斬波電路的第一輸出端的第一柵極輸入,和電連接到所述輸入斬波電路的第二輸出端的第二柵極輸入。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一差分晶體管池的選擇電路包括多個開關,并且其中所述多個開關經配置以提供斬波放大器的輸入斬波操作或輸出斬波操作之一。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一差分晶體管池沿著所述斬波放大器的放大路徑放置,其中第一差分晶體管池作為斬波放大器的差分輸入晶體管、斬波放大器的差分負載晶體管或斬波放大器的差分共源共柵晶體管之一操作。
7.根據權利要求1所述的裝置,還包括第二差分晶體管池,其中,所述第二差分晶體管池的晶體管配置基于來自可編程存儲器的第二控制信號進行控制。
8.根據權利要求7所述的裝置,還包括第三差分晶體管池,其中,所述第三差分晶體管池的晶體管配置基于來自可編程存儲器的第三控制信號進行控制,
其中,所述第一差分晶體管池操作作為斬波放大器的差分輸入晶體管,
其中,所述第二差分晶體管池操作作為斬波放大器的差分負載晶體管,和
其中,所述第三差分晶體管池操作作為斬波放大器的差分共源共柵晶體管。
9.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述輸出信號包括單端輸出電壓信號。
10.根據權利要求1所述的裝置,還包括集成電路IC,其中所述IC包括所述斬波放大器和所述可編程存儲器。
11.根據權利要求10所述的裝置,其中,所述可編程存儲器包括存儲于其中的數據,其中所述數據與所述第一控制信號的所選狀態相關聯。
12.根據權利要求11所述的裝置,其中,與第一控制信號的所有其他狀態相比較,所述第一控制信號的所選狀態對應于在第一和第二晶體管組中具有最小輸入偏置的多個晶體管的特定晶體管配置。
13.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述第一差分晶體管池沿著所述斬波放大器的放大路徑放置,其中,第一差分晶體管池包括多個晶體管組,其中,所述多個晶體管組中的每個晶體管組包括輸入晶體管、共源共柵晶體管或負載晶體管中的兩個或更多個。
14.一種校準斬波放大器的方法,該方法包括:
對于斬波放大器的第一差分晶體管池的多個所選晶體管配置的每一個,觀察斬波放大器的輸入偏置電壓,其中,所述第一差分晶體管池包括多個晶體管,并且其中所選晶體管配置包括多個晶體管在第一晶體管組和第二晶體管組中的不同組合,其中所選晶體管配置對應于與至少第二晶體管配置相比較,在第一和第二晶體管組中具有較小輸入偏置的多個晶體管的特定晶體管配置;
基于對所述輸入偏置電壓的觀察而選定晶體管配置;和
在可編程存儲器中存儲對應于所選定晶體管配置的數據。
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